JAJSDT0 September   2017 CSD87503Q3E

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特長
  2. 2アプリケーション
  3. 3概要
    1.     上面図
    2.     回路イメージ
    3.     RDD(on)とVGSとの関係
  4. 4改訂履歴
  5. 5 Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 6.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 6.2 コミュニティ・リソース
    3. 6.3 商標
    4. 6.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 6.5 Glossary
  7. 7メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 7.1 Q3パッケージの寸法
    2. 7.2 推奨されるPCBパターン
    3. 7.3 推奨されるステンシル開口部

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5.2 Thermal Information

TA = 25°C (unless otherwise stated)
THERMAL METRICMINTYPMAXUNIT
RθJC Junction-to-case thermal resistance(1) 8 °C/W
RθJA Junction-to-ambient thermal resistance(1)(2) 60 °C/W
(1) RθJC is determined with the device mounted on a 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz (0.071-mm) thick Cu pad on a 1.5-in × 1.5-in (3.81-cm × 3.81-cm), 0.06-in (1.52-mm) thick FR4 PCB. RθJC is specified by design, whereas RθJA is determined by the user’s board design.
(2) Device mounted on FR4 material with 1-in2 (6.45-cm2), 2-oz (0.071-mm) thick Cu.

CSD87503Q3E 87503Q3E_Max.gif
 Max RθJA = 60°C/W when mounted on 1 in2 (6.45 cm2) of
2-oz (0.071-mm) thick Cu.
CSD87503Q3E 87503Q3E_Min.gif
 Max RθJA = 185°C/W when mounted on a minimum pad area of
2-oz (0.071-mm) thick Cu.