JAJSKC9E September 2020 – November 2022 DP83TG720S-Q1
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 代表値 | 最大値 | 単位 | |
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DC 特性 | ||||||
XI | ||||||
VIH | High レベル入力電圧 | 1.3 | V | |||
VIL | Low レベル入力電圧 | 0.5 | V | |||
WAKE ピン | WAKE ピン | WAKE ピン | WAKE ピン | WAKE ピン | WAKE ピン | WAKE ピン |
VIH | High レベル入力電圧 | VSLEEP = 3.3V ± 10% | 2 | V | ||
VIL | Low レベル入力電圧 | VSLEEP = 3.3V ± 10% | 0.8 | V | ||
INH ピン | INH ピン | INH ピン | INH ピン | INH ピン | INH ピン | INH ピン |
VOH | High レベル出力電圧 | IOH = -2mA、VSLEEP = 3.3V ± 10% | 2.4 | V | ||
3.3V VDDIO (2) | ||||||
VOH | High レベル出力電圧 | IOH = -2mA、VDDIO = 3.3V ± 10% | 2.4 | V | ||
VOL | Low レベル出力電圧 | IOL = 2mA、VDDIO = 3.3V ± 10% | 0.4 | V | ||
VIH | High レベル入力電圧 | VDDIO = 3.3V ± 10% | 2 | V | ||
VIL | Low レベル入力電圧 | VDDIO = 3.3V ± 10% | 0.8 | V | ||
2.5V VDDIO (2) | ||||||
VOH | High レベル出力電圧 | IOH = -2mA、VDDIO = 2.5V ± 10% | 2 | V | ||
VOL | Low レベル出力電圧 | IOL = 2mA、VDDIO = 2.5V ± 10% | 0.4 | V | ||
VIH | High レベル入力電圧 | VDDIO = 2.5V ± 10% | 1.7 | V | ||
VIL | Low レベル入力電圧 | VDDIO = 2.5V ± 10% | 0.7 | V | ||
1.8V VDDIO (2) | ||||||
VOH | High レベル出力電圧 | IOH = -2mA、VDDIO = 1.8V ± 10% | VDDIO - 0.45 | V | ||
VOL | Low レベル出力電圧 | IOL = 2mA、VDDIO = 1.8V ± 10% | 0.45 | V | ||
VIH | High レベル入力電圧 | VDDIO = 1.8V ± 10% | 0.7 * VDDIO | V | ||
VIL | Low レベル入力電圧 | VDDIO = 1.8V ± 10% | 0.3 * VDDIO | V | ||
IIH | 入力 High 電流 (MDIO) | VIN = VCC、-40℃~125℃ | -5 | 5 | µA | |
IIH | 入力 High 電流 (RGMII 入力ピン、MDC) | VIN = VCC、-40℃~125℃ | -20 | 20 | μA | |
IOZ | 入力 High 電流 (MDIO) | VIN の掃引範囲は 0V~VCC、-40℃~125℃ | -40 | 40 | μA | |
IIL | 入力 Low 電流 (RGMII 入力ピン、MDC、MDIO) | VIN = GND、-40℃~125℃ | -40 | 5 | μA | |
IOZL | INH | 6 | µA | |||
IOZ | トライステート出力電流 (5) | VIN の掃引範囲は 0V~VCC、-40℃~125℃ | -40 | 10 | μA | |
IOZ | トライステート出力電流 (6) | VIN の掃引範囲は 0V~VCC、-40℃~125℃ | -60 | 60 | μA | |
CIN | 入力容量 | LVCMOS/LVTTL ピン (3) | 2 | pF | ||
CIN | 入力容量 | LVCMOS/LVTTL ピン (4) | 4 | pF | ||
XI | 1 | pF | ||||
COUT | 出力容量 | LVCMOS/LVTTL ピン (3) | 2 | pF | ||
COUT | 出力容量 | LVCMOS/LVTTL ピン (4) | 4 | pF | ||
XO | 1 | pF | ||||
Rpull-up | 内蔵プルアップ抵抗値 | INT、RESET | 6.5 | 9 | 12.5 | kΩ |
Rpull-down | 内蔵プルダウン抵抗値 | STRP_1、RX_CTRL | 4.725 | 6.3 | 7.875 | kΩ |
Rpull-down | 内蔵プルダウン抵抗値 | LED_1、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0 | 7.3 | 9 | 13 | kΩ |
WAKE | 35 | 50 | 62.5 | kΩ | ||
Rpull-down | 内蔵プルアップ抵抗値 (アクティブ時) | INH | 106 | Ω | ||
Rseries | 内蔵 MAC 直列終端抵抗値 (デフォルト) | RX_D[3:0]、RX_CTRL、RX_CLK | 24 | 42 | 52 | Ω |
Rseries | 内蔵 MAC 直列終端抵抗値 (レジスタ <0x0456> = 0x0148) | RX_D[3:0]、RX_CTRL、RX_CLK | 30 | 52 | 65 | Ω |
Rseries | 内蔵 MAC 直列終端抵抗値 (レジスタ <0x0456> = 0x0168) | RX_D[3:0]、RX_CTRL、RX_CLK | 40 | 70 | 84 | Ω |
消費電流、スリープ・モード | ||||||
ISLEEP | スリープ時の消費電流 | VSLEEP | 485 | 840 | μA | |
消費電流、リセットのアサート時 | ||||||
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 1.8V | VDDIO | 4 | 9 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 2.5V | VDDIO | 5 | 12 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 3.3V | VDDIO | 6.5 | 15 | mA | |
IDDA3P3 | コア消費電流、3.3V | VDDA3P3 | 5 | 8 | mA | |
IDD1P0 | コア消費電流、1.0V | VDD1P0 | 30 | 110 | mA | |
消費電流、スタンバイ | ||||||
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 1.8V | VDDIO | 4 | 11 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 2.5V | VDDIO | 6 | 13 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 3.3V | VDDIO | 8 | 15 | mA | |
IDDA3P3 | コア消費電流、3.3V | VDDA3P3 | 16 | 18 | mA | |
IDD1P0 | コア消費電流、1.0V | VDD1P0 | 33 | 112 | mA | |
消費電流、アクティブ・モード、電圧:±10%、トラフィック:100%、パケット・サイズ:1518、コンテンツ:ランダム | ||||||
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 1.8V | RGMII | 20 | 25 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 2.5V | RGMII | 26 | 30 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 3.3V | RGMII | 33 | 40 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 1.8V | SGMII | 3.5 | 5 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 2.5V | SGMII | 5 | 7 | mA | |
IDDIO | IO 電源電流、VDDIO = 3.3V | SGMII | 6.5 | 8 | mA | |
IDDA3P3 | コア消費電流、3.3V | RGMII | 85 | 89 | mA | |
IDD1P0 | コア消費電流、1.0V | RGMII | 177 | 250 | mA | |
IDDA3P3 | コア消費電流、3.3V | SGMII | 95 | 100 | mA | |
IDD1P0 | コア消費電流、1.0V | SGMII | 200 | 260 | mA | |
ISLEEP | スリープ時の消費電流 | VSLEEP = 3.3V ±10% | 1000 | 1500 | μA | |
MDI の特性 | ||||||
VOD-MDI | 出力差動電圧 | RL(diff) = 100Ω | 1.3 | V | ||
RMDI-DIFF | 内蔵差動 MDI 終端 (アクティブ状態) | TRD_P、TRD_M | 100 | Ω | ||
RMDI-DIFF | 内蔵差動 MDI 終端 (スリープ状態) | TRD_P、TRD_M | 100 | Ω | ||
SGMII ドライバの DC 仕様 | ||||||
VOD-SGMII | 出力差動電圧 | RL(diff) = 100Ω | 150 | 400 | mV | |
ROUT-DIFF | 内蔵差動出力終端 | RX_P、RX_M | 78 | 100 | 130 | Ω |
SGMII レシーバの DC 仕様 | ||||||
VIDTH | 入力差動スレッショルド | 100 | mV | |||
RIN-DIFF | 内蔵差動入力終端 | TX_P、TX_M | 82 | 100 | 121 | Ω |
ブートストラップの DC 特性 | ||||||
2 レベルのストラップ | ||||||
Vbsl_1v8 | ブートストラップのスレッショルド | モード 1、VDDIO = 1.8V ± 10%、2 レベル | 0 | 0.35 * VDDIO | V | |
Vbsh_1v8 | ブートストラップのスレッショルド | モード 2、VDDIO = 1.8V ± 10%、2 レベル | 1.175 | VDDIO | V | |
Vbsl_2v5 | ブートストラップのスレッショルド | モード 1、VDDIO = 2.5V ± 10%、2 レベル | 0 | 0.7 | V | |
Vbsh_2v5 | ブートストラップのスレッショルド | モード 2、VDDIO = 2.5V ± 10%、2 レベル | 1.175 | VDDIO | V | |
Vbsl_3v3 | ブートストラップのスレッショルド | モード 1、VDDIO = 3.3V ± 10%、2 レベル | 0 | 0.7 | V | |
Vbsh_3v3 | ブートストラップのスレッショルド | モード 2、VDDIO = 3.3V ± 10%、2 レベル | 1.175 | VDDIO | V | |
3 レベルのストラップ | ||||||
Vbs1_1V8 | ブートストラップのスレッショルド | モード 1、VDDIO = 1.8V ± 10%、3 レベル | 0 | 0.35 * VDDIO | V | |
Vbs2_1V8 | ブートストラップのスレッショルド | モード 2、VDDIO = 1.8V ± 10%、3 レベル | 0.40 * VDDIO | 0.75 * VDDIO | V | |
Vbs3_1V8 | ブートストラップのスレッショルド | モード 3、VDDIO = 1.8V ± 10%、3 レベル | 0.84 * VDDIO | VDDIO | V | |
Vbs1_2V5 | ブートストラップのスレッショルド | モード 1、VDDIO = 2.5V ± 10%、3 レベル | 0 | 0.19 * VDDIO | V | |
Vbs2_2V5 | ブートストラップのスレッショルド | モード 2、VDDIO = 2.5V ± 10%、3 レベル | 0.27 * VDDIO | 0.41 * VDDIO | V | |
Vbs3_2V5 | ブートストラップのスレッショルド | モード 3、VDDIO = 2.5V ± 10%、3 レベル | 0.58 * VDDIO | VDDIO | V | |
Vbs1_3V3 | ブートストラップのスレッショルド | モード 1、VDDIO = 3.3V ± 10%、3 レベル | 0 | 0.18 * VDDIO | V | |
Vbs2_3V3 | ブートストラップのスレッショルド | モード 2、VDDIO = 3.3V ± 10%、3 レベル | 0.22 * VDDIO | 0.42 * VDDIO | V | |
Vbs3_3V3 | ブートストラップのスレッショルド | モード 3、VDDIO = 3.3V ± 10%、3 レベル | 0.46 * VDDIO | VDDIO | V | |
温度センサ | ||||||
温度センサの分解能 (LSB) | -40℃~125℃ | 1.5 | ℃ | |||
温度センサの精度 (1 つの部品での電圧と温度による変動) | -40℃~125℃ | -7.5 | 7.5 | ℃ | ||
温度センサの精度 (電圧と温度による変動、部品間のばらつきを含む) | -40℃~125℃ | -21.5 | 20 | ℃ | ||
温度センサの範囲 | -40 | 140 | ℃ | |||
電圧センサ | ||||||
VDDA3P3 センサの範囲 | 2.66 | 3.3 | 3.96 | V | ||
VDDA3P3 センサの分解能 (LSB) | -40℃~125℃ | 8.6 | mV | |||
VDDA3P3 センサの精度 (電圧と温度による変動) | -40℃~125℃ | 8.6 | mV | |||
VDDA3P3 センサの精度 (部品間のばらつきを含む) | -40℃~125℃ | -68.8 | 68.8 | mV | ||
VDD1P0 センサの範囲 | 0.8 | 1.2 | V | |||
VDD1P0 センサの分解能 (LSB) | -40℃~125℃ | 2.8 | mV | |||
VDD1P0 センサの精度 (電圧と温度による変動) | -40℃~125℃ | 2.8 | mV | |||
VDD1P0 センサの精度 (部品間のばらつきを含む) | -40℃~125℃ | -22.4 | 22.4 | mV | ||
VDDIO センサの範囲 | 1.44 | 3.8 | V | |||
VDDIO センサの分解能 (LSB) | -40℃~125℃ | 15.4 | mV | |||
VDDIO センサの精度 (電圧と温度による変動) | -40℃~125℃ | 15.4 | mV | |||
VDDIO センサの精度 (部品間のばらつきを含む) | -40℃~125℃ | -78 | 78 | mV |