JAJSKC9E September   2020  – November 2022 DP83TG720S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 特長
  2. アプリケーション
  3. 概要
  4. 改訂履歴
  5. ピン構成および機能
    1.     ピン機能
    2. 5.1 ピンの状態
    3. 5.2 ピンの電源ドメイン
  6. 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 LED の駆動特性
  7. 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 診断ツール・キット
        1. 7.3.1.1 信号品質インジケータ
        2. 7.3.1.2 時間領域反射計測
        3. 7.3.1.3 データパス用内蔵セルフ・テスト
          1. 7.3.1.3.1 ループバック・モード
          2. 7.3.1.3.2 データ・ジェネレータ
          3. 7.3.1.3.3 データパスの BIST のプログラミング
        4. 7.3.1.4 温度および電圧センシング
        5. 7.3.1.5 静電気放電 (ESD) 検出
      2. 7.3.2 準拠性テスト・モード
        1. 7.3.2.1 テスト・モード 1
        2. 7.3.2.2 テスト・モード 2
        3. 7.3.2.3 テスト・モード 4
        4. 7.3.2.4 テスト・モード 5
        5. 7.3.2.5 テスト・モード 6
        6. 7.3.2.6 テスト・モード 7
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1  パワーダウン
      2. 7.4.2  リセット
      3. 7.4.3  スタンバイ
      4. 7.4.4  通常
      5. 7.4.5  スリープ
      6. 7.4.6  状態遷移
        1. 7.4.6.1 状態遷移 #1 - スタンバイから通常動作へ
        2. 7.4.6.2 状態遷移 #2 - 通常動作からスタンバイへ
        3. 7.4.6.3 状態遷移 #3 - 通常動作からスリープへ
        4. 7.4.6.4 状態遷移 #4 - スリープから通常動作へ
      7. 7.4.7  MDI (Media Dependent Interface)
        1. 7.4.7.1 MDI マスタと MDI スレーブの構成
        2. 7.4.7.2 自動極性検出および訂正
      8. 7.4.8  MAC インターフェイス
        1. 7.4.8.1 RGMII (Reduced Gigabit Media Independent Interface)
        2. 7.4.8.2 SGMII (Serial Gigabit Media Independent Interface)
      9. 7.4.9  シリアル・マネージメント・インターフェイス
      10. 7.4.10 ダイレクト・レジスタ・アクセス
      11. 7.4.11 拡張レジスタ・スペース・アクセス
      12. 7.4.12 書き込みアドレス動作
        1. 7.4.12.1 書き込みアドレス動作の例
      13. 7.4.13 読み出しアドレス動作
        1. 7.4.13.1 読み出しアドレス動作の例
      14. 7.4.14 書き込み動作 (ポスト・インクリメントなし)
        1. 7.4.14.1 書き込み動作の例 (ポスト・インクリメントなし)
      15. 7.4.15 読み出し動作 (ポスト・インクリメントなし)
        1. 7.4.15.1 読み出し動作の例 (ポスト・インクリメントなし)
      16. 7.4.16 書き込み動作 (ポスト・インクリメントあり)
        1. 7.4.16.1 書き込み動作の例 (ポスト・インクリメントあり)
      17. 7.4.17 読み出し動作 (ポスト・インクリメントあり)
        1. 7.4.17.1 読み出し動作の例 (ポスト・インクリメントあり)
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 ストラップ構成
      2. 7.5.2 LED の構成
      3. 7.5.3 PHY アドレスの設定
    6. 7.6 レジスタ・マップ
      1. 7.6.1 レジスタ・アクセスの概要
      2. 7.6.2 DP83TG720 Registers
        1. 7.6.2.1 基本レジスタ
  8. アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
  9. 電源に関する推奨事項
  10. 10テキサス・インスツルメンツの 100BT1 PHY との互換性
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
      1. 11.1.1 信号トレース
      2. 11.1.2 復帰パス
      3. 11.1.3 物理メディアの接続
      4. 11.1.4 金属注入
      5. 11.1.5 PCB 層スタッキング
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 12.2 サポート・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 用語集
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 13.1 付録:パッケージ・オプション
      1. 13.1.1 パッケージ情報
      2. 13.1.2 テープおよびリール情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

電気的特性

自由気流での動作温度範囲内 (特に記述のない限り) (1)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
DC 特性
XI
VIH High レベル入力電圧 1.3 V
VIL Low レベル入力電圧 0.5 V
WAKE ピン WAKE ピン WAKE ピン WAKE ピン WAKE ピン WAKE ピン WAKE ピン
VIH High レベル入力電圧 VSLEEP = 3.3V ± 10% 2 V
VIL Low レベル入力電圧 VSLEEP = 3.3V ± 10% 0.8 V
INH ピン INH ピン INH ピン INH ピン INH ピン INH ピン INH ピン
VOH High レベル出力電圧 IOH = -2mA、VSLEEP = 3.3V ± 10% 2.4 V
3.3V VDDIO (2)
VOH High レベル出力電圧 IOH = -2mA、VDDIO = 3.3V ± 10% 2.4 V
VOL Low レベル出力電圧 IOL = 2mA、VDDIO = 3.3V ± 10% 0.4 V
VIH High レベル入力電圧 VDDIO = 3.3V ± 10% 2 V
VIL Low レベル入力電圧 VDDIO = 3.3V ± 10% 0.8 V
2.5V VDDIO (2)
VOH High レベル出力電圧 IOH = -2mA、VDDIO = 2.5V ± 10% 2 V
VOL Low レベル出力電圧 IOL = 2mA、VDDIO = 2.5V ± 10% 0.4 V
VIH High レベル入力電圧 VDDIO = 2.5V ± 10% 1.7 V
VIL Low レベル入力電圧 VDDIO = 2.5V ± 10% 0.7 V
1.8V VDDIO (2)
VOH High レベル出力電圧 IOH = -2mA、VDDIO = 1.8V ± 10% VDDIO - 0.45 V
VOL Low レベル出力電圧 IOL = 2mA、VDDIO = 1.8V ± 10% 0.45 V
VIH High レベル入力電圧 VDDIO = 1.8V ± 10% 0.7 * VDDIO V
VIL Low レベル入力電圧 VDDIO = 1.8V ± 10% 0.3 * VDDIO V
IIH 入力 High 電流 (MDIO) VIN = VCC、-40℃~125℃ -5 5 µA
IIH 入力 High 電流 (RGMII 入力ピン、MDC) VIN = VCC、-40℃~125℃ -20 20 μA
IOZ 入力 High 電流 (MDIO) VIN の掃引範囲は 0V~VCC、-40℃~125℃ -40 40 μA
IIL 入力 Low 電流 (RGMII 入力ピン、MDC、MDIO) VIN = GND、-40℃~125℃ -40 5 μA
IOZL INH 6 µA
IOZ トライステート出力電流 (5) VIN の掃引範囲は 0V~VCC、-40℃~125℃ -40 10 μA
IOZ トライステート出力電流 (6) VIN の掃引範囲は 0V~VCC、-40℃~125℃ -60 60 μA
CIN 入力容量 LVCMOS/LVTTL ピン (3) 2 pF
CIN 入力容量 LVCMOS/LVTTL ピン (4) 4 pF
XI 1 pF
COUT 出力容量 LVCMOS/LVTTL ピン (3) 2 pF
COUT 出力容量 LVCMOS/LVTTL ピン (4) 4 pF
XO 1 pF
Rpull-up 内蔵プルアップ抵抗値 INTRESET 6.5 9 12.5
Rpull-down 内蔵プルダウン抵抗値 STRP_1、RX_CTRL 4.725 6.3 7.875
Rpull-down 内蔵プルダウン抵抗値 LED_1、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0 7.3 9 13
WAKE 35 50 62.5
Rpull-down 内蔵プルアップ抵抗値 (アクティブ時) INH 106 Ω
Rseries 内蔵 MAC 直列終端抵抗値 (デフォルト) RX_D[3:0]、RX_CTRL、RX_CLK 24 42 52 Ω
Rseries 内蔵 MAC 直列終端抵抗値 (レジスタ <0x0456> = 0x0148) RX_D[3:0]、RX_CTRL、RX_CLK 30 52 65 Ω
Rseries 内蔵 MAC 直列終端抵抗値 (レジスタ <0x0456> = 0x0168) RX_D[3:0]、RX_CTRL、RX_CLK 40 70 84 Ω
消費電流、スリープ・モード
ISLEEP スリープ時の消費電流 VSLEEP 485 840 μA
消費電流、リセットのアサート時
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 1.8V VDDIO 4 9 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 2.5V VDDIO 5 12 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 3.3V VDDIO 6.5 15 mA
IDDA3P3 コア消費電流、3.3V VDDA3P3 5 8 mA
IDD1P0 コア消費電流、1.0V VDD1P0 30 110 mA
消費電流、スタンバイ
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 1.8V VDDIO 4 11 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 2.5V VDDIO 6 13 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 3.3V VDDIO 8 15 mA
IDDA3P3 コア消費電流、3.3V VDDA3P3 16 18 mA
IDD1P0 コア消費電流、1.0V VDD1P0 33 112 mA
消費電流、アクティブ・モード、電圧:±10%、トラフィック:100%、パケット・サイズ:1518、コンテンツ:ランダム
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 1.8V RGMII 20 25 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 2.5V RGMII 26 30 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 3.3V RGMII 33 40 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 1.8V SGMII 3.5 5 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 2.5V SGMII 5 7 mA
IDDIO IO 電源電流、VDDIO = 3.3V SGMII 6.5 8 mA
IDDA3P3 コア消費電流、3.3V RGMII 85 89 mA
IDD1P0 コア消費電流、1.0V RGMII 177 250 mA
IDDA3P3 コア消費電流、3.3V  SGMII 95 100 mA
IDD1P0 コア消費電流、1.0V SGMII 200 260 mA
ISLEEP スリープ時の消費電流 VSLEEP = 3.3V ±10%  1000 1500 μA
MDI の特性
VOD-MDI 出力差動電圧 RL(diff) = 100Ω 1.3 V
RMDI-DIFF 内蔵差動 MDI 終端 (アクティブ状態) TRD_P、TRD_M 100 Ω
RMDI-DIFF 内蔵差動 MDI 終端 (スリープ状態) TRD_P、TRD_M 100 Ω
SGMII ドライバの DC 仕様
VOD-SGMII 出力差動電圧 RL(diff) = 100Ω 150 400 mV
ROUT-DIFF 内蔵差動出力終端 RX_P、RX_M 78 100 130 Ω
SGMII レシーバの DC 仕様
VIDTH 入力差動スレッショルド 100 mV
RIN-DIFF 内蔵差動入力終端 TX_P、TX_M 82 100 121 Ω
ブートストラップの DC 特性
2 レベルのストラップ
Vbsl_1v8 ブートストラップのスレッショルド モード 1、VDDIO = 1.8V ± 10%、2 レベル  0 0.35 * VDDIO V
Vbsh_1v8 ブートストラップのスレッショルド モード 2、VDDIO = 1.8V ± 10%、2 レベル  1.175 VDDIO V
Vbsl_2v5 ブートストラップのスレッショルド モード 1、VDDIO = 2.5V ± 10%、2 レベル 0 0.7 V
Vbsh_2v5 ブートストラップのスレッショルド モード 2、VDDIO = 2.5V ± 10%、2 レベル 1.175 VDDIO V
Vbsl_3v3 ブートストラップのスレッショルド モード 1、VDDIO = 3.3V ± 10%、2 レベル 0 0.7 V
Vbsh_3v3 ブートストラップのスレッショルド モード 2、VDDIO = 3.3V ± 10%、2 レベル 1.175 VDDIO V
3 レベルのストラップ
Vbs1_1V8 ブートストラップのスレッショルド モード 1、VDDIO = 1.8V ± 10%、3 レベル 0 0.35 * VDDIO V
Vbs2_1V8 ブートストラップのスレッショルド モード 2、VDDIO = 1.8V ± 10%、3 レベル 0.40 * VDDIO 0.75 * VDDIO V
Vbs3_1V8 ブートストラップのスレッショルド モード 3、VDDIO = 1.8V ± 10%、3 レベル 0.84 * VDDIO VDDIO V
Vbs1_2V5 ブートストラップのスレッショルド モード 1、VDDIO = 2.5V ± 10%、3 レベル 0 0.19 * VDDIO V
Vbs2_2V5 ブートストラップのスレッショルド モード 2、VDDIO = 2.5V ± 10%、3 レベル 0.27 * VDDIO 0.41 * VDDIO V
Vbs3_2V5 ブートストラップのスレッショルド モード 3、VDDIO = 2.5V ± 10%、3 レベル 0.58 * VDDIO VDDIO V
Vbs1_3V3 ブートストラップのスレッショルド モード 1、VDDIO = 3.3V ± 10%、3 レベル 0 0.18 * VDDIO V
Vbs2_3V3 ブートストラップのスレッショルド モード 2、VDDIO = 3.3V ± 10%、3 レベル 0.22 * VDDIO 0.42 * VDDIO V
Vbs3_3V3 ブートストラップのスレッショルド モード 3、VDDIO = 3.3V ± 10%、3 レベル 0.46 * VDDIO VDDIO V
温度センサ
温度センサの分解能 (LSB) -40℃~125℃ 1.5
温度センサの精度 (1 つの部品での電圧と温度による変動) -40℃~125℃ -7.5 7.5
温度センサの精度 (電圧と温度による変動、部品間のばらつきを含む)  -40℃~125℃ -21.5 20
温度センサの範囲 -40 140
電圧センサ
VDDA3P3 センサの範囲 2.66 3.3 3.96 V
VDDA3P3 センサの分解能 (LSB) -40℃~125℃ 8.6 mV
VDDA3P3 センサの精度 (電圧と温度による変動) -40℃~125℃ 8.6 mV
VDDA3P3 センサの精度 (部品間のばらつきを含む) -40℃~125℃ -68.8 68.8 mV
VDD1P0 センサの範囲 0.8 1.2 V
VDD1P0 センサの分解能 (LSB) -40℃~125℃ 2.8 mV
VDD1P0 センサの精度 (電圧と温度による変動) -40℃~125℃ 2.8 mV
VDD1P0 センサの精度 (部品間のばらつきを含む) -40℃~125℃ -22.4 22.4 mV
VDDIO センサの範囲 1.44 3.8 V
VDDIO センサの分解能 (LSB) -40℃~125℃ 15.4 mV
VDDIO センサの精度 (電圧と温度による変動) -40℃~125℃ 15.4 mV
VDDIO センサの精度 (部品間のばらつきを含む) -40℃~125℃ -78 78 mV
製造試験、特性評価、設計によって保証
対象ピン:LED_1、STRP_1、RX_CTRL、CLKOUT、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0
対象ピン:MDC、INTRESET、LED_1、STRP_1、RX_CTRL、CLKOUT、RX_D0、RX_D1、RX_CLK、TX_CLK、TX_CTRL、TX_D2、TX_D3、LED_0、MDIO
対象ピン:TX_D0、TX_D1、RX_D2、RX_D3
対象ピン:LED_1、RX_D[3:0]、RX_CLK、LED_0
対象ピン:STRP_1、RX_CTRL