1 特長

車載アプリケーション用に AEC-Q100 認定済み - 温度オプション：
- DRV3233EPHP：-40℃～+150℃、T_A
- DRV3233QPHP (プレビュー)：-40℃～+125℃、T_A
機能安全準拠予定
- 機能安全アプリケーション向けに開発
- ISO 26262 システムの設計に役立つ資料をに提供予定
- ASIL D までの決定論的対応能力を対象とする
3 相ハーフブリッジゲートドライバ
- 6 個の N チャネル MOSFET (NMOS) を駆動
- 4.5～60V の広い動作電圧範囲
- ハイサイドゲートドライバのブートストラップアーキテクチャ
- 50mA 平均ゲート電流用チャージポンプ
- 100% の PWM デューティサイクルに対応
- 外部スイッチのオーバードライブ電源
スマートゲートドライブアーキテクチャ
- 45 レベルで構成可能な最大 1000 / 2000mA (ソース / シンク) のピークゲートドライブ電流
- 3 ステップの動的駆動電流制御
- 電力段の保護のためのソフトシャットダウン
ローサイド電流検出アンプ
- 全温度範囲にわたって 1mV 未満の低入力オフセット
- 9 レベルの可変ゲイン
SPI ベースの詳細な構成と診断
ドライバを個別にディセーブルする DRVOFF ピン
高電圧ウェークアップピン (nSLEEP)
複数の PWM インターフェイスオプションを利用可能
- 6x、3x、1x PWM モード
- SPI 経由の PWM
3.3V と 5V のロジック入力電圧をサポート
リセット設定用のオプションのプログラム可能な OTP
高度で構成可能な保護機能
- バッテリおよび電源電圧モニタ
- 位相フィードバックコンパレータ
- MOSFET V_DS および R_sense 過電流監視
- アナログ内蔵セルフテスト、クロックモニター
- フォルト状態インジケータピン