JAJSBZ8D May   2014  – February 2023 DRV5053

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 磁気特性
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 磁界方向の定義
      2. 7.3.2 デバイス出力
      3. 7.3.3 パワーオン時間
      4. 7.3.4 出力段
      5. 7.3.5 保護回路
        1. 7.3.5.1 過電流保護 (OCP)
        2. 7.3.5.2 負荷ダンプ保護機能
        3. 7.3.5.3 電源逆接続保護
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 代表的なアプリケーション (フィルタなし)
        1. 8.2.1.1 設計要件
        2. 8.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 8.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 8.2.2 代表的なアプリケーション (フィルタ付き)
        1. 8.2.2.1 設計要件
        2. 8.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 8.2.2.2.1 代表的なノイズとカットオフ周波数との関係
        3. 8.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
  9. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイスのサポート
      1. 9.1.1 デバイス命名規則
      2. 9.1.2 デバイスのマーキング
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  10. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1)DRV5053単位
DBZ (SOT-23)LPG (TO-92)
3 ピン3 ピン
RθJA接合部から周囲への熱抵抗333.2180℃/W
RθJC(top)接合部からケース (上面) への熱抵抗99.998.6℃/W
RθJB接合部から基板への熱抵抗66.9154.9℃/W
ψJT接合部から上面への特性パラメータ4.940℃/W
ψJB接合部から基板への特性パラメータ65.2154.9℃/W
(1) 従来および最新の熱測定基準の詳細については、アプリケーション・レポート『半導体および IC パッケージの熱評価基準』、SPRA953 を参照してください。