JAJSN01 May   2024 DRV7308

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Absolute Maximum Ratings
  7. ESD Ratings
  8. Recommended Operating Conditions
  9. Thermal Information
  10. Electrical Characteristics
  11. 10Timing Diagrams
  12. 11Typical Characteristics
  13. 12Detailed Description
    1. 12.1 Overview
    2. 12.2 Functional Block Diagram
    3. 12.3 Feature Description
      1. 12.3.1 Output Stage
      2. 12.3.2 Input Control Logic
      3. 12.3.3 ENABLE (EN) Pin Function
      4. 12.3.4 Temperature Sensor Output (VTEMP)
      5. 12.3.5 Brake Function
      6. 12.3.6 Slew Rate Control (SR)
      7. 12.3.7 Dead Time
      8. 12.3.8 Current Limit Functionaity (ILIMIT)
      9. 12.3.9 Pin Diagrams
        1. 12.3.9.1 Four-Level Input Pin
        2. 12.3.9.2 Open-Drain Pin
        3. 12.3.9.3 Logic-Level Input Pin (Internal Pulldown)
    4. 12.4 Protections
      1. 12.4.1 GVDD Undervoltage Lockout
      2. 12.4.2 Bootstrap Undervoltage Lockout
      3. 12.4.3 Current Limit Protection
      4. 12.4.4 GaNFET Overcurrent Protection
      5. 12.4.5 Thermal Shutdown (OTS)
  14. 13Layout
    1. 13.1 Layout Guidelines
    2. 13.2 Layout Example
  15. 14Revision History
  16. 15Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 15.1 Tape and Reel Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
  • REN|68
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

特長

  • 650V エンハンスメント モード GaNFET 内蔵、三相 PWM モーター ドライバ
  • 最大 450V の動作電圧
    • 650V 絶対最大定格電圧
  • 高い出力電流能力:5A ピーク電流
  • 小さい導通損失:GaN FET により低いオン抵抗:205mΩ RDS(ON)、TA = 25°C 時
  • 低いスイッチング損失:ゼロ逆回復、低出力容量、スルーレート制御
  • 低歪:非常に小さい伝搬遅延 < 135ns、非常に小さい適応型デッド タイム < 200ns
  • 相ノード電圧のスルーレート制御を備えたゲート ドライブを内蔵
    • スルーレートを 5V/μs~40V/μs で選択可能
  • 高速ブートストラップ GaN 整流器を内蔵し、最小 500ns のローサイド オン時間をサポート
  • 1 または 2 または 3 本のシャント電流センシングをサポートするローサイド GaN FET オープン ソースピン
  • 最大 60kHz のハード スイッチングをサポート
  • 単一シャント電流センシング用に 11MHz、15V/μs の アンプを内蔵
  • 3.3V および 5V のロジック入力をサポート
  • すべてのローサイド GaN FET を同時にオンにするブレーキ機能を内蔵
  • 温度センサ内蔵
  • OUTx と OUTx、VM と OUTx、OUTx と PGND の間の空間距離:> 1.6mm
  • VM と PGND の間の空間距離:2mm
  • 保護機能内蔵
    • GVDD およびブートストラップ低電圧誤動作防止
    • 各 GaN FET の過電流保護
    • 過熱保護
    • PWM 入力デッド タイム
    • 3 相すべてについて内蔵のコンパレータを使用した電流制限保護
    • フォルト状態通知ピン (HV_nFAULT)