JAJSN01
May 2024
DRV7308
ADVANCE INFORMATION
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Pin Configuration and Functions
5
Absolute Maximum Ratings
6
ESD Ratings
7
Recommended Operating Conditions
8
Thermal Information
9
Electrical Characteristics
10
Timing Diagrams
11
Typical Characteristics
12
Detailed Description
12.1
Overview
12.2
Functional Block Diagram
12.3
Feature Description
12.3.1
Output Stage
12.3.2
Input Control Logic
12.3.3
ENABLE (EN) Pin Function
12.3.4
Temperature Sensor Output (VTEMP)
12.3.5
Brake Function
12.3.6
Slew Rate Control (SR)
12.3.7
Dead Time
12.3.8
Current Limit Functionaity (ILIMIT)
12.3.9
Pin Diagrams
12.3.9.1
Four-Level Input Pin
12.3.9.2
Open-Drain Pin
12.3.9.3
Logic-Level Input Pin (Internal Pulldown)
12.4
Protections
12.4.1
GVDD Undervoltage Lockout
12.4.2
Bootstrap Undervoltage Lockout
12.4.3
Current Limit Protection
12.4.4
GaNFET Overcurrent Protection
12.4.5
Thermal Shutdown (OTS)
13
Layout
13.1
Layout Guidelines
13.2
Layout Example
14
Revision History
15
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
15.1
Tape and Reel Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
REN|68
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsn01_oa
1
特長
650V エンハンスメント モード GaNFET 内蔵、三相 PWM モーター ドライバ
最大 450V の動作電圧
650V 絶対最大定格電圧
高い出力電流能力:5A ピーク電流
小さい導通損失:GaN FET により低いオン抵抗:205mΩ R
DS(ON)
、TA = 25°C 時
低いスイッチング損失:ゼロ逆回復、低出力容量、スルーレート制御
低歪:非常に小さい伝搬遅延 < 135ns、非常に小さい適応型デッド タイム < 200ns
相ノード電圧のスルーレート制御を備えたゲート ドライブを内蔵
スルーレートを 5V/μs~40V/μs で選択可能
高速ブートストラップ GaN 整流器を内蔵し、最小 500ns のローサイド オン時間をサポート
1 または 2 または 3 本のシャント電流センシングをサポートするローサイド GaN FET オープン ソースピン
最大 60kHz のハード スイッチングをサポート
単一シャント電流センシング用に 11MHz、15V/μs の アンプを内蔵
3.3V および 5V のロジック入力をサポート
すべてのローサイド GaN FET を同時にオンにするブレーキ機能を内蔵
温度センサ内蔵
OUTx と OUTx、VM と OUTx、OUTx と PGND の間の空間距離:> 1.6mm
VM と PGND の間の空間距離:2mm
保護機能内蔵
GVDD およびブートストラップ低電圧誤動作防止
各 GaN FET の過電流保護
過熱保護
PWM 入力デッド タイム
3 相すべてについて内蔵のコンパレータを使用した電流制限保護
フォルト状態通知ピン (HV_nFAULT)