JAJSPH9A January   2023  – March 2024 DRV8144-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
    1. 5.1 HW バリアント
      1. 5.1.1 VQFN-HR (16) パッケージ
    2. 5.2 SPI バリアント
      1. 5.2.1 VQFN-HR (16) パッケージ
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
      1. 6.5.1  電源 & 初期化
      2. 6.5.2  ロジック I/O
      3. 6.5.3  SPI I/O
      4. 6.5.4  構成ピン - HW バリアントのみ
      5. 6.5.5  パワー FET パラメータ
      6. 6.5.6  ハイサイド還流のスイッチング・パラメータ
      7. 6.5.7  ローサイド還流のスイッチング・パラメータ
      8. 6.5.8  IPROPI および ITRIP レギュレーション
      9. 6.5.9  過電流保護 (OCP)
      10. 6.5.10 過熱保護 (TSD)
      11. 6.5.11 電圧監視
      12. 6.5.12 負荷監視
      13. 6.5.13 フォルトの再試行設定
      14. 6.5.14 過渡熱インピーダンスと電流能力
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 スイッチング波形
      1. 6.7.1 出力スイッチング遷移
        1. 6.7.1.1 ハイサイド還流
        2. 6.7.1.2 ローサイド還流
      2. 6.7.2 ウェークアップ遷移
        1. 6.7.2.1 HW バリアント
        2. 6.7.2.2 SPI バリアント
      3. 6.7.3 フォルト応答の遷移
        1. 6.7.3.1 再試行設定
        2. 6.7.3.2 ラッチ設定
    8. 6.8 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
      1. 7.2.1 HW バリアント
      2. 7.2.2 SPI バリアント
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 外付け部品
        1. 7.3.1.1 HW バリアント
        2. 7.3.1.2 SPI バリアント
      2. 7.3.2 ブリッジ制御
        1. 7.3.2.1 レジスタ - ピン制御 - SPI バリアントのみ
      3. 7.3.3 デバイス構成
        1. 7.3.3.1 スルーレート (SR)
        2. 7.3.3.2 IPROPI
        3. 7.3.3.3 ITRIP レギュレーション
        4. 7.3.3.4 DIAG
          1. 7.3.3.4.1 HW バリアント
          2. 7.3.3.4.2 SPI バリアント
      4. 7.3.4 保護および診断機能
        1. 7.3.4.1 過電流保護 (OCP)
        2. 7.3.4.2 過熱保護 (TSD)
        3. 7.3.4.3 オフ状態診断 (OLP)
        4. 7.3.4.4 オン状態診断 (OLA) - SPI バリアントのみ
        5. 7.3.4.5 VM 過電圧監視
        6. 7.3.4.6 VM 低電圧監視
        7. 7.3.4.7 チャージ・ポンプ低電圧モニタ
        8. 7.3.4.8 パワー・オン・リセット (POR)
        9. 7.3.4.9 イベントの優先順位
    4. 7.4 プログラミング - SPI バリアントのみ
      1. 7.4.1 SPI インターフェイス
      2. 7.4.2 標準フレーム
      3. 7.4.3 複数ペリフェラルに対するSPI インターフェイス
        1. 7.4.3.1 複数のペリフェラルに対するデイジー・チェーン・フレーム
  9. 8 レジスタ・マップ - SPI バリアントのみ
    1. 8.1 ユーザー レジスタ
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 負荷の概要
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 HW バリアント
      2. 9.2.2 SPI バリアント
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
      1. 9.3.1 バルク容量の決定
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 コミュニティ・リソース
    4. 10.4 商標
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5.7 ローサイド還流のスイッチング・パラメータ

負荷 = 1.5mH / 4.7Ω、VVM = 13.5V、ローサイド還流波形を参照
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
SRHSON 出力電圧立ち上がり時間、10%～90% SR = 3'b000 または LVL2 1.4 V/µs
SR = 3'b001 (SPI のみ) 4.8 V/µs
SR = 3'b010 (SPI のみ) 3.1 V/µs
SR = 3'b011 または LVL3 8.9 V/µs
SR = 3'b100 または LVL4 14.3 V/µs
SR = 3'b101 または LVL1 19.4 V/µs
SR = 3'b110 または LVL6 29 V/µs
SR = 3'b111 または LVL5 38 V/µs
tPD_HSON 出力電圧上昇時の伝搬時間 SR = 3'b000 または LVL2 4.2 µs
SR = 3'b001 (SPI のみ) 5.5 µs
SR = 3'b010 (SPI のみ) 1.5 µs
SR = 3'b011 または LVL3 1.2 µs
その他すべての SR 1 μs
tDEAD_HSON 出力電圧上昇時のデッドタイム SR = 3'b000 または LVL2 2.5 μs
SR = 3'b001 (SPI のみ) 2 µs
SR = 3'b010 (SPI のみ) 1.2 µs
その他すべての SR 0.5 µs
SRHSOFF 出力電圧立ち下がり時間：90%～10% SR = 3'b000 または LVL2 1.8 V/µs
SR = 3'b001 (SPI のみ) 4.7 V/µs
SR = 3'b010 (SPI のみ) 7.6 V/µs
SR = 3'b011 または LVL3 12.6 V/µs
SR = 3'b100 または LVL4 17.5 V/µs
SR = 3'b101 または LVL1 22.4 V/µs
SR = 3'b110 または LVL6 31.5 V/µs
SR = 3'b111 または LVL5 39.2 V/µs
tPD_HSOFF 出力電圧下降時の伝搬時間 すべての SR 0.3 µs
tDEAD_HSOFF 出力電圧下降時のデッドタイム すべての SR 0.2 µs
tBLANK 電流センス出力が安定するまでの、出力スルーイング後の電流レギュレーション・ブランキング時間 (LS 還流についてのみ有効) SR = 3'b000 または LVL2 10.8 μs
SR = 3'b001 または 3'b010 (SPI のみ) 3.5 μs
その他すべての SR 2.6 µs