JAJSVQ9A September   2024  – March 2025 DRV81620-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイスの比較
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 SPI のタイミング要件
    7. 6.7 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 コントロールピン
        1. 7.3.1.1 入力ピン：
        2. 7.3.1.2 nSLEEP ピン
      2. 7.3.2 電源
        1. 7.3.2.1 動作モード
          1. 7.3.2.1.1 パワーアップ
          2. 7.3.2.1.2 スリープ モード
          3. 7.3.2.1.3 アイドル モード
          4. 7.3.2.1.4 アクティブ モード
          5. 7.3.2.1.5 リンプホームモード
        2. 7.3.2.2 リセット条件
      3. 7.3.3 電力段
        1. 7.3.3.1 スイッチング抵抗性負荷
        2. 7.3.3.2 誘導性出力クランプ
        3. 7.3.3.3 最大負荷インダクタンス
        4. 7.3.3.4 逆電流動作
        5. 7.3.3.5 並列でのチャネル スイッチング
        6. 7.3.3.6 電球突入モード (BIM)
        7. 7.3.3.7 PWM ジェネレータを内蔵
      4. 7.3.4 保護および診断機能
        1. 7.3.4.1 VM の低電圧
        2. 7.3.4.2 過電流保護
        3. 7.3.4.3 過熱保護機能
        4. 7.3.4.4 過熱警告
        5. 7.3.4.5 リンプ ホーム モードでの過熱および過電流保護
        6. 7.3.4.6 逆極性保護
        7. 7.3.4.7 過電圧保護
        8. 7.3.4.8 出力ステータス モニタ
        9. 7.3.4.9 オン状態での開放負荷検出
          1. 7.3.4.9.1 オン時の開放負荷 - 直接チャネル診断
          2. 7.3.4.9.2 オン時の開放負荷 - 診断ループ
          3. 7.3.4.9.3 OLON ビット
      5. 7.3.5 SPI 通信
        1. 7.3.5.1 SPI 信号の説明
          1. 7.3.5.1.1 チップ セレクト (nSCS)
            1. 7.3.5.1.1.1 ロジック High からロジック Low への遷移
            2. 7.3.5.1.1.2 ロジック Low からロジック High への遷移
          2. 7.3.5.1.2 シリアル クロック (SCLK)
          3. 7.3.5.1.3 シリアル入力 (SDI)
          4. 7.3.5.1.4 シリアル出力 (SDO)
        2. 7.3.5.2 デイジー チェーン機能
        3. 7.3.5.3 SPI プロトコル
        4. 7.3.5.4 SPI レジスタ
          1. 7.3.5.4.1  標準診断レジスタ
          2. 7.3.5.4.2  出力制御レジスタ
          3. 7.3.5.4.3  電球突入モード レジスタ
          4. 7.3.5.4.4  入力 0 マッピング レジスタ
          5. 7.3.5.4.5  入力 1 マッピング レジスタ
          6. 7.3.5.4.6  入力ステータス モニタ レジスタ
          7. 7.3.5.4.7  開放負荷電流制御レジスタ
          8. 7.3.5.4.8  出力ステータス モニタ レジスタ
          9. 7.3.5.4.9  オン時のオープン負荷レジスタ
          10. 7.3.5.4.10 EN_OLON レジスタ
          11. 7.3.5.4.11 構成レジスタ
          12. 7.3.5.4.12 出力クリア ラッチ レジスタ
          13. 7.3.5.4.13 FPWM レジスタ
          14. 7.3.5.4.14 PWM0 構成レジスタ
          15. 7.3.5.4.15 PWM1 構成レジスタ
          16. 7.3.5.4.16 PWM_OUT レジスタ
          17. 7.3.5.4.17 MAP_PWM レジスタ
          18. 7.3.5.4.18 構成 2 レジスタ
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 推奨外付け部品
      2. 8.1.2 アプリケーションのプロット
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
    3. 8.3 レイアウト
      1. 8.3.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.3.2 パッケージ フットプリントの互換性
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.3.3 電力段

The DRV81620-Q1 は 8 チャネルの構成可能な、ハイサイド スイッチです。N チャネル MOSFET を採用して電力段を形成しています。オン抵抗 RDS(ON)は、電源電圧と接合部温度 TJに依存します。

自動構成可能なチャネルが 6 個あり、それぞれをローサイド スイッチまたはハイサイド スイッチとして使用することができます。各チャネルは、ドレインおよびソースの電位に応じて、診断機能および保護機能を自動的に調整します。これらのチャネルを実現するために、チャージ ポンプを出力 MOSFET ゲートに接続します。

ハイサイド構成では、負荷は FET のグランドとソースの間に接続されます (ピン OUTx_S、n = 2...7)。FET のドレイン (OUTx_D、「x」は構成可能なチャネル番号を表す) は、グランドと VM の間の任意の電位に接続することができます。ドレインが VM に接続されている場合、チャネルはハイサイド スイッチのように動作します。

ローサイド構成では、パワー トランジスタのソース端子は GND ピンの電位に接続する必要があります(直接接続するか、逆電流防止用ダイオードを介して接続します)。

これらの各チャネルは個別に構成を選択できるため、一部のチャネルをローサイド構成で接続し、残りの自動構成可能チャネルをハイサイド スイッチとして使用することも可能です。