JAJSKG6B February   2020  – August 2021 DRV8210

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイスの比較
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 DSG パッケージの標準特性
    7. 7.7 DRL パッケージの標準特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 外付け部品
      2. 8.3.2 制御モード
        1. 8.3.2.1 PWM 制御モード (DSG：MODE = 0 かつ DRL)
        2. 8.3.2.2 PH/EN 制御モード (DSG: MODE = 1)
        3. 8.3.2.3 ハーフブリッジ制御モード (DSG: MODE = Hi-Z)
      3. 8.3.3 保護回路
        1. 8.3.3.1 電源の低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.3.2 OUTx 過電流保護 (OCP)
        3. 8.3.3.3 過熱検出保護 (TSD)
      4. 8.3.4 ピン構造図
        1. 8.3.4.1 ロジックレベル入力
        2. 8.3.4.2 トライレベル入力
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 アクティブ・モード
      2. 8.4.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 8.4.3 フォルト・モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 フルブリッジ駆動
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 電源電圧
          2. 9.2.1.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.1.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 ハーフブリッジ駆動
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 電源電圧
          2. 9.2.2.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.2.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
      3. 9.2.3 デュアルコイル・リレーの駆動
        1. 9.2.3.1 設計要件
        2. 9.2.3.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.3.2.1 電源電圧
          2. 9.2.3.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.3.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.3.3 アプリケーション曲線
      4. 9.2.4 電流センス
        1. 9.2.4.1 設計要件
        2. 9.2.4.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.4.2.1 シャント抵抗の決定
          2. 9.2.4.2.2 RCフィルタ
    3. 9.3 電流能力と熱性能
      1. 9.3.1 消費電力および出力電流特性
      2. 9.3.2 熱性能
        1. 9.3.2.1 定常状態熱性能
        2. 9.3.2.2 過渡熱性能
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 バルク容量
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.3.2 OUTx 過電流保護 (OCP)

各 MOSFET のアナログ電流制限回路により、出力端子短絡時にもデバイスのピーク出力電流を制限できます。出力電流が、過電流グリッチ除去時間 tOCP より長い時間にわたって、過電流スレッショルド IOCP を上回ると、H ブリッジのすべての MOSFET がディセーブルになります。tRETRY の経過後、PH/IN1 ピンと EN/IN2 ピンの状態に応じて MOSFET が再イネーブルされます。過電流状態がまだ解消していない場合、このサイクルを繰り返します。解消している場合、通常のデバイス動作を再開します。

ハーフブリッジ制御モードでは、OCP の動作が多少変化します。過電流イベントが検出されると、対応するハーフブリッジのみがディセーブルになります。もう一方のハーフブリッジは通常動作を継続します。これにより、本デバイスは負荷を個別に駆動する際に、フォルト・イベントを個別に管理できます。両方のハーフブリッジで過電流イベントが検出されると、両方のハーフブリッジがディセーブルになります。両方のハーフブリッジは、同じ過電流リトライ・タイマを共有します。OUT1 に過電流イベントが最初に発生すると、tRETRY の間、その出力はディセーブルになります。OUT1 に過電流イベントが発生した後、tRETRY が経過する前に、OUT2 に過電流イベントが発生した場合、両方の OUTx ピンが、tRETRY 時間の全体にわたってディセーブル状態に維持されます。