JAJSKG8A June   2021  – July 2021 DRV8212P

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 デバイスの比較
  6. 6 ピン構成および機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  8. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 外付け部品
      2. 8.3.2 制御モード
        1. 8.3.2.1 PWM 制御
      3. 8.3.3 保護回路
        1. 8.3.3.1 電源の低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 8.3.3.2 OUTx 過電流保護 (OCP)
        3. 8.3.3.3 過熱検出保護 (TSD)
      4. 8.3.4 ピン構造図
        1. 8.3.4.1 ロジックレベル入力
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 アクティブ・モード
      2. 8.4.2 低消費電力スリープ・モード
      3. 8.4.3 フォルト・モード
  9. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 フルブリッジ駆動
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.1.2.1 電源電圧
          2. 9.2.1.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.1.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 デュアルコイル・リレーの駆動
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.2.2.1 電源電圧
          2. 9.2.2.2.2 制御インターフェイス
          3. 9.2.2.2.3 低消費電力動作
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
      3. 9.2.3 電流センス
        1. 9.2.3.1 設計要件
        2. 9.2.3.2 詳細な設計手順
          1. 9.2.3.2.1 シャント抵抗の決定
    3. 9.3 電流能力と熱性能
      1. 9.3.1 消費電力および出力電流特性
      2. 9.3.2 熱性能
        1. 9.3.2.1 定常状態熱性能
        2. 9.3.2.2 過渡熱性能
  10. 10電源に関する推奨事項
    1. 10.1 バルク容量
  11. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5 電気的特性

0V ≦ VVM ≦ 11V かつ 1.65V ≦ VVCC ≦ 11V、-40°C ≦ TJ ≦ 150°C (特に記述のない限り)
標準値は TJ = 27°C、VVCC = 3.3V、VVM = 5V の場合
パラメータ テスト条件 最小値 標準値 最大値 単位
電源 (VM、VCC)
IVM VM アクティブ・モード電流 nSLEEP = 3.3V、IN1 = 0V、IN2 = 3.3V 6 11 mA
IVMQ VM スリープ・モード電流 スリープ・モード、VVM = 5V、VVCC= 3.3V、TJ = 27°C 1 82 nA
IVCC VCC アクティブ・モード電流 nSLEEP = 3.3V、IN1 = 0V、IN2 = 3.3V 0.21 11 mA
IVCCQ VCC スリープ・モード電流 スリープ・モード、VVM = 5V、VVCC = 3.3V、TJ = 27°C 2.5 nA
tWAKE ターンオン時間 スリープ・モードからアクティブ・モードまでの遅延 100 μs
tSLEEP ターンオフ時間 アクティブ・モードからスリープ・モードまでの遅延時間 2 μs
ロジックレベル入力 (INx、nSLEEP)
VIL 入力ロジック Low 電圧 0 0.4 V
VIH 入力ロジック High 電圧 1.45 5.5 V
VHYS 入力ロジック・ヒステリシス 49 mV
IIL 入力ロジック Low 電流 VI = 0V -1 1 µA
IIH 入力ロジック High 電流 VI = 3.3V 20 50 µA
RPD 入力プルダウン抵抗 対 GND 100 kΩ
ドライバ出力 (OUTx)
RDS(on)_HS ハイサイド MOSFET オン抵抗 IO = 0.2A 140 mΩ
RDS(on)_LS ローサイド MOSFET オン抵抗 IO = -0.2A 140 mΩ
VSD ボディダイオード順方向電圧 IO = -1.5A 1 V
tRISE 出力立ち上がり時間 VOUTx の VVM の 10% から 90% までの立ち上がり 150 ns
tFALL 出力立ち下がり時間 VOUTx の VVM の 90% から 10% までの立ち下がり 150 ns
tPD 入力から出力までの伝搬遅延 入力が 0.8V から VOUTx = 0.1 × VVM と交差、IO = 1A 135 ns
tDEAD 出力デッドタイム 内部デッドタイム 500 ns
保護回路
VUVLO,VCC VCC 電源の低電圧誤動作防止 (UVLO) 電源立ち上がり 1.65 V
電源立ち下がり 1.30 V
VUVLO_HYS 電源 UVLO ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 80 mV
tUVLO 電源低電圧グリッチ除去時間 VVCC 立ち下がり から OUTx ディセーブルまで 3.8 µs
IOCP 過電流保護トリップ・ポイント 4 A
tOCP 過電流保護グリッチ除去時間 4.2 µs
tRETRY 過電流保護リトライ時間 1.7 ms
TTSD サーマル・シャットダウン温度 153 193 °C
THYS 過熱シャットダウン・ヒステリシス 22 °C