JAJSKI7B May   2020  – May 2022 DRV8424E , DRV8425E

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     端子機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 PWM モータ・ドライバ
      2. 7.3.2 ブリッジの制御
      3. 7.3.3 電流レギュレーション
      4. 7.3.4 ディケイ・モード
        1. 7.3.4.1 ミックス・ディケイ
        2. 7.3.4.2 ファースト・ディケイ
        3. 7.3.4.3 スマート・チューン・ダイナミック・ディケイ
        4. 7.3.4.4 スマート・チューン・リップル・コントロール
        5. 7.3.4.5 ブランキング時間
      5. 7.3.5 チャージ･ポンプ
      6. 7.3.6 リニア電圧レギュレータ
      7. 7.3.7 論理およびクワッドレベル・ピン構造図
      8. 7.3.8 nFAULT ピン
      9. 7.3.9 保護回路
        1. 7.3.9.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.9.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.9.3 過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.9.4 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        5. 7.3.9.5 フォルト条件のまとめ
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 スリープ・モード (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 動作モード (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 nSLEEP リセット・パルス
      4. 7.4.4 機能モードのまとめ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 電流レギュレーション
        2. 8.2.2.2 消費電力および熱計算
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 代替アプリケーション
      1. 8.3.1 設計要件
      2. 8.3.2 詳細な設計手順
        1. 8.3.2.1 電流レギュレーション
        2. 8.3.2.2 ステッピング・モータの速度
        3. 8.3.2.3 ディケイ・モード
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク・コンデンサ
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 関連リンク
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 コミュニティ・リソース
    5. 11.5 商標
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

標準値は TA = 25℃、VVM = 24V での値です。特に記述のない限り、すべての限界値は推奨動作条件の全範囲を満たすものとします。
パラメータ テスト条件 最小 標準 最大 単位
電源 (VM、DVDD)
IVM VM 動作電源電流 nSLEEP = 1、モータ負荷なし 5 6.5 mA
IVMQ VM スリープ・モード電源電流 nSLEEP = 0 2 4 μA
tSLEEP スリープ時間 nSLEEP = 0 でスリープモード 120 μs
tRESET nSLEEP リセット・パルス nSLEEP = Low でフォルトをクリア 20 40 μs
tWAKE ウェークアップ時間 nSLEEP = 1 で出力遷移 0.8 1.2 ms
tON ターンオン時間 VM > UVLO で出力遷移 0.8 1.2 ms
VDVDD 内部レギュレータ電圧 外部負荷なし、6V < VVM < 33V 4.75 5 5.25 V
外部負荷なし、VVM = 4.5V

4.2

4.35

V
チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
VVCP VCP 動作電圧 6V < VVM < 33V VVM + 5 V
f(VCP) チャージ・ポンプ・スイッチング周波数 VVM > UVLO、nSLEEP = 1 360 kHz
ロジック・レベル入力 (APH、AEN、BPH、BEN、AIN1、AIN2、BIN1、BIN2、nSLEEP)
VIL 入力論理 Low 電圧 0 0.6 V
VIH 入力論理 High 電圧 1.5 5.5 V
VHYS 入力論理ヒステリシス 150 mV
IIL 入力論理 Low 電流 VIN = 0V –1 1 μA
IIH 入力論理 High 電流 VIN = 5V 100 μA
tPD 伝搬遅延 xPH、xEN、xINx 入力から電流が変化するまで 800 ns
クワッド・レベル入力 (ADECAY、BDECAY、TOFF)
VI1 入力論理 Low 電圧 GND に接続 0 0.6 V
VI2 330kΩ ± 5% を GND との間に接続 1 1.25 1.4 V
VI3 入力 Hi-Z 電圧 ハイ・インピーダンス (GND との間の抵抗値が 500kΩ よりも大きい) 1.8 2 2.2 V
VI4 入力論理 High 電圧 DVDD に接続 2.7 5.5 V
IO 出力プルアップ電流 10 μA
制御出力 (nFAULT)
VOL 出力論理 Low 電圧 IO = 5mA 0.5 V
IOH 出力論理 High リーク電流 –1 1 μA
モータ・ドライバ出力 (AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2)
RDS(ONH) ハイサイド FET オン抵抗 （DRV8424E、DRV8424P） TJ = 25℃、IO = -1A 165 200 mΩ
TJ = 125℃、IO = -1A 250 300 mΩ
TJ = 150℃、IO = -1A 280 350 mΩ
RDS(ONL) ローサイド FET オン抵抗 （DRV8424E、DRV8424) TJ = 25℃、IO = 1A 165 200 mΩ
TJ = 125℃、IO = 1A 250 300 mΩ
TJ = 150℃、IO = 1A 280 350 mΩ
RDS(ONH) ハイサイド FET オン抵抗 （DRV8425E、DRV8425P） TJ = 25℃、IO = -1A 275 330 mΩ
TJ = 125℃、IO = -1A 410 500 mΩ
TJ = 150℃、IO = -1A 460 580 mΩ
RDS(ONL) ローサイド FET オン抵抗 （DRV8425E、DRV8425P） TJ = 25℃、IO = A 275 330 mΩ
TJ = 125℃、IO = 1A 410 500 mΩ
TJ = 150℃、IO = 1 A 460 580 mΩ
tSR 出力スルーレート VM = 24V、IO = 1A、10% と 90% の間 240 V/µs
PWM 電流制御 (VREFA、VREFB)
KV トランスインピーダンス・ゲイン VREF = 3.3V 1.254 1.32 1.386 V/A
IVREF VREF リーク電流 VREF = 3.3V 8.25 μA
tOFF PWM オフ時間 TOFF = 0 7 μs
TOFF = 1 16
TOFF = ハイ・インピーダンス 24
TOFF = 330kΩ を GND との間に接続 32
ΔITRIP 電流トリップ精度 IO = 2.5A、10%～20% 電流設定 -8 12 %
IO = 2.5A、20%～40% 電流設定 –7

7
IO = 2.5A、40%～100% 電流設定 -5 5
IO,CH AOUT と BOUT の電流マッチング IO = 2.5A -2.5 2.5 %
保護回路
VUVLO VM 低電圧誤動作防止 (UVLO) VM 立ち下がり、UVLO 立ち下がり 4.1 4.25 4.35 V
VM 立ち上がり、UVLO 立ち上がり 4.2 4.35 4.45
VUVLO,HYS 低電圧ヒステリシス 立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド 100 mV
VCPUV チャージ・ポンプ低電圧 VCP 立ち下がり VVM + 2 V
IOCP 過電流保護 （DRV8424E、DRV8424P） FET を流れる電流 4 A
IOCP 過電流保護 （DRV8425E、DRV8425P） FET を流れる電流 3.2 A
tOCP 過電流グリッチ除去時間 1.8 μs
TOTSD サーマル・シャットダウン ダイ温度 TJ 150 165 180 °C
THYS_OTSD 過熱保護閾値ヒステリシス ダイ温度 TJ 20 ℃