JAJSJR7B August 2022 – October 2023 DRV8462
PRODUCTION DATA
周囲温度が TA、総消費電力 (PTOT) の場合、接合部温度 (TJ) は次のように計算されます。
TJ = TA + (PTOT x RθJA)
JEDEC 規格の 4 層 PCB の場合を考えると、接合部から周囲への熱抵抗 (RθJA) は、DDW パッケージの場合で 22.2℃/W です。
周囲温度が 25℃と仮定すると、DDW パッケージの接合部温度は次のように計算されます。
セクション 8.2.4.2 に記述したように、さらに正確な計算を行うには、セクション 6.6 に記載されているデバイスの接合部温度での FET のオン抵抗の依存性を考慮してください。
たとえば、
接合部温度が 99℃の場合、オン抵抗は 25℃の場合に比べて 1.25 倍大きくなることがあります。
導通損失の初期推定値は 2.5W でした。
したがって、導通損失の新しい推定値は 2.5W x 1.25 = 3.125W になります。
それに伴い、合計電力損失の新しい推定値は 3.957W になります。
DDW パッケージの接合部温度の新しい推定値は 112.8℃になります。
さらに繰り返しても、接合部温度の推定値が大幅に増加する可能性はほぼありません。
DDV パッケージを使用している場合、熱抵抗が 4℃/W 未満のヒートシンクを選択すると、接合部から周囲への熱抵抗は 5℃/W 未満になる可能性があります。そのため、このアプリケーションで DDV パッケージを使用したときの接合部温度の初期推定値は、次のようになります。
DDV パッケージは熱抵抗が低くなるため、10A のフルスケール電流を供給することができます。