JAJSIG9A July   2020  – April 2021 DRV8706-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 説明
  4. 4 改訂履歴
    1.     デバイス比較表
  5. 5 ピン構成
    1.     DRV8706-Q1 RHB パッケージ (VQFN) ピン機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 タイミング要件
    7. 6.7 タイミング図
    8. 6.8 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 外付け部品
      2. 7.3.2 デバイス・インターフェイス・バリアント
        1. 7.3.2.1 シリアル・ペリフェラル・インターフェイス (SPI)
        2. 7.3.2.2 ハードウェア (H/W)
      3. 7.3.3 入力 PWM モード
        1. 7.3.3.1 ハーフブリッジ制御
        2. 7.3.3.2 H ブリッジ制御
        3. 7.3.3.3 分割 HS/LS ソレノイド制御
      4. 7.3.4 スマート・ゲート・ドライバ
        1. 7.3.4.1 機能ブロック図
        2. 7.3.4.2 スルーレート制御 (IDRIVE)
        3. 7.3.4.3 ゲート・ドライブ・ステート・マシン (TDRIVE)
      5. 7.3.5 電圧増倍 (単段) チャージ・ポンプ
      6. 7.3.6 広同相差動電流シャント・アンプ
      7. 7.3.7 ピン配置
        1. 7.3.7.1 ロジック・レベル入力ピン (DRVOFF、IN1/EN、IN2/PH、nHIZx、nSLEEP、nSCS、SCLK、SDI)
        2. 7.3.7.2 ロジック・レベル・プッシュプル出力 (SDO)
        3. 7.3.7.3 ロジック・レベル・オープン・ドレイン出力 (nFAULT)
        4. 7.3.7.4 クワッドレベル入力 (GAIN)
        5. 7.3.7.5 6 レベル入力 (IDRIVE、VDS)
      8. 7.3.8 保護および診断機能
        1. 7.3.8.1  ゲート・ドライバのディセーブルとイネーブル (DRVOFF と EN_DRV)
        2. 7.3.8.2  フォルト・リセット (CLR_FLT)
        3. 7.3.8.3  DVDD ロジック電源パワーオン・リセット (DVDD_POR)
        4. 7.3.8.4  PVDD 電源低電圧監視 (PVDD_UV)
        5. 7.3.8.5  PVDD 電源過電圧監視 (PVDD_OV)
        6. 7.3.8.6  VCP チャージ・ポンプ低電圧誤動作防止 (VCP_UV)
        7. 7.3.8.7  MOSFET VDS 過電流保護 (VDS_OCP)
        8. 7.3.8.8  ゲート・ドライバ・フォルト (VGS_GDF)
        9. 7.3.8.9  過熱警告 (OTW)
        10. 7.3.8.10 サーマル・シャットダウン (OTSD)
        11. 7.3.8.11 オフライン短絡とオープン負荷検出 (OOL / OSC)
        12. 7.3.8.12 障害検出と応答の概略表
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 非アクティブまたはスリープ状態
      2. 7.4.2 スタンバイ状態
      3. 7.4.3 動作状態
    5. 7.5 プログラミング
      1. 7.5.1 SPI インターフェイス
      2. 7.5.2 SPI フォーマット
      3. 7.5.3 複数スレーブに対する SPI インターフェイス
        1. 7.5.3.1 デイジー・チェーン内の複数のスレーブ用 SPI インターフェイス
    6. 7.6 レジスタ・マップ
      1. 7.6.1 ステータス・レジスタ
      2. 7.6.2 制御レジスタ
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ゲート・ドライバ構成
          1. 8.2.2.1.1 VCP 負荷計算の例
          2. 8.2.2.1.2 IDRIVE 計算例
        2. 8.2.2.2 電流シャント・アンプの構成
        3. 8.2.2.3 消費電力
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 レイアウト
    1. 9.1 レイアウトのガイドライン
    2. 9.2 レイアウト例
  10. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
      2. 10.1.2 Receiving Notification of Documentation Updates
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 10.5 Glossary
  11. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RHB|32
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.3.4.2 スルーレート制御 (IDRIVE)

スマート・ゲート・ドライブ・アーキテクチャの IDRIVE コンポーネントには、外部 MOSFET VDS スルーレートを調整するための可変ゲート・ドライブ電流制御が実装されています。これは、内部ゲート・ドライバ・アーキテクチャ用に可変プルアップ (IDRVP) およびプルダウン (IDRVN) 電流ソースを実装することで実現します。

外部 MOSFET の VDS スルーレートは、放射ノイズ / 伝導ノイズ、ダイオード逆回復、dV/dt 寄生ゲート・カップリング、ハーフブリッジのスイッチ・ノード上の過電圧または低電圧過渡を最適化するのに不可欠な要素です。IDRIVE は、VDS スルーレートが主に MOSFET QGD またはミラー充電領域中のゲート電荷率 (またはゲート電流) によって決定されるという原理に基づいて動作します。ゲート・ドライバでゲート電流を調整できるようにすることで、外部パワー MOSFET のスルーレートを効果的に制御できます。

IDRIVE を使用することで、DRV8706-Q1 は、H/W インターフェイス・デバイス上の IDRVP_x と IDRVN_x SPI レジスタまたは IDRIVE ピンにより、ゲート・ドライバ電流設定を動的に変更できます。表 7-8 に示すように、このデバイスではソースとシンク電流について、0.5mA～62mA の範囲で、16 の設定が用意されています。ピーク・ゲート駆動電流を、tDRIVE 期間に対して使用可能です。MOSFET がスイッチされ、tDRIVE 期間が経過した後、ゲート・ドライバは、短絡状態の場合に、プルアップ・ソース電流に対するホールド電流 (IHOLD) へスイッチして出力電流を制限し、ドライバの効率を向上させます。

表 7-8 IDRIVE ソース (IDRVP) とシンク (IDRVN) 電流
IDRVP_x/IDRVN_xソース / シンク電流 (mA)
0000b0.5
0001b1
0010b2
0011b3
0100b4
0101b6
0110b8
0111b12
1000b16
1001b20
1010b24
1011b28
1100b31
1101b40
1110b48
1111b62