JAJSHK1B August 2019 – January 2021 DRV8876-Q1
PRODUCTION DATA
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
デバイス温度が過熱スレッショルド TTSD を上回ると、H ブリッジのすべての MOSFET がディスエーブルされ、nFAULT ピンが Low に駆動されます。過熱状態が解消し、デバイス温度が TTSD スレッショルドを下回ると、通常動作を再開します。