JAJSFU5B January   2017  – November 2018 DRV8886AT

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 ピン構成および機能
    1.     端子機能
  6. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱特性
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 ステッピング制御ロジック・タイミング要件
    7. 6.7 代表的特性
  7. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ステッピング・モータ・ドライバの電流定格
        1. 7.3.1.1 ピーク電流定格
        2. 7.3.1.2 RMS 電流定格
        3. 7.3.1.3 フルスケール電流定格
      2. 7.3.2  PWM モータ・ドライバ
      3. 7.3.3  マイクロステッピング・インデクサ
      4. 7.3.4  電流レギュレーション
      5. 7.3.5  MCU DAC による RREF の制御
      6. 7.3.6  減衰モード
        1. 7.3.6.1 モード 1：電流増加では低速減衰、電流減少では混合減衰
        2. 7.3.6.2 モード 2：電流増加および減少で混合減衰
        3. 7.3.6.3 モード 3：AutoTune リップル制御
        4. 7.3.6.4 モード 4：AutoTune 動的減衰
      7. 7.3.7  ブランキング時間
      8. 7.3.8  チャージ･ポンプ
      9. 7.3.9  リニア電圧レギュレータ
      10. 7.3.10 論理およびマルチレベル・ピン構造図
      11. 7.3.11 保護回路
        1. 7.3.11.1 VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)
        2. 7.3.11.2 VCP 低電圧誤動作防止 (CPUV)
        3. 7.3.11.3 過電流保護 (OCP)
        4. 7.3.11.4 サーマル・シャットダウン (TSD)
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  8. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ステッピング・モータの速度
        2. 8.2.2.2 電流レギュレーション
        3. 8.2.2.3 減衰モード
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
  9. 9 電源に関する推奨事項
    1. 9.1 バルク・コンデンサ
  10. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトの注意点
    2. 10.2 レイアウト例
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5 ピン構成および機能

PWP PowerPAD™パッケージ
24 ピン HTSSOP
上面図
RHR パッケージ
28 ピン WQFN 露出サーマル・パッド付き
上面図

端子機能

ピン 種類(1) 説明
名前 番号
HTSSOP WQFN
AOUT1 5 3 O 巻線 A 出力。ステッピング・モータの巻線に接続します。
AOUT2 7 5
AVDD 13 12 PWR 内部レギュレータ。X5R または X7R、0.47µF、6.3V セラミック・コンデンサを使用して GND にバイパスします。
BOUT1 10 8 O 巻線 B 出力。ステッピング・モータの巻線に接続します。
BOUT2 8 6
CPH 2 28 PWR チャージ・ポンプのスイッチング・ノード。X5R または X7R、0.022µF、VM 定格セラミック・コンデンサを CPH と CPL の間に接続します。
CPL 1 27
DECAY 24 25 I 減衰モード設定。減衰モードを設定します (「減衰モード」を参照)。デバイス起動時(nSLEEP = High)に減衰モードはラッチされます。
DIR 20 21 I 方向入力。論理レベルによりステッピング方向を設定します。内部プルダウン抵抗。
DVDD 14 13 PWR 内部レギュレータ。X5R または X7R、0.47µF、6.3V セラミック・コンデンサを使用して GND にバイパスします。
ENABLE 18 19 I ドライバ入力をイネーブルします。論理 High でデバイス出力をイネーブル。論理 Low でディセーブル。内部プルダウン抵抗。
GND 12 10 PWR デバイスのグランド。システム・グランドに接続します。
M0 21 22 I マイクロステッピング・モード設定。ステップ・モードを設定します。トライレベル・ピン。ステップ・モードを設定します。内部プルダウン抵抗。
M1 22 23
NC — 11 — 接続なし。内部接続なし
14
15
26
PGND 6 4 PWR 電源グランド。システム・グランドに接続します。
9 7
RREF 16 17 I 電流制限アナログ入力。抵抗をグランドに接続して、フルスケール・レギュレーション電流を設定します。
STEP 19 20 I ステップ入力。立ち上がりエッジでシーケンス制御ロジックが 1 ステップ進みます。内部プルダウン抵抗。
TRQ 23 24 I 電流スケーリング制御。出力電流をスケーリングします。トライレベル・ピン。
VCP 3 1 PWR チャージ・ポンプの出力。X5R または X7R、0.22µF、16V セラミック・コンデンサを VM に接続します。
VM 4 2 PWR 電源。モータ電源電圧に接続し、VM 定格の 2 つの 0.01µF セラミック・コンデンサ (各ピンに 1 つずつ) と 1 つのバルク・コンデンサを使用して GND にバイパスします。
11 9
nFAULT 15 16 OD フォルト通知。フォルト条件により論理 Low に駆動されます。オープンドレイン出力には外部プルアップ抵抗が必要です。
nSLEEP 17 18 I スリーブ・モード入力。論理 High でデバイスをイネーブル。論理 Low で低消費電力スリープ・モードに移行。内部プルダウン抵抗。
(1) I = 入力、O = 出力、PWR = 電源、OD = オープンドレイン