JAJSL44 データシート

JAJSL44 March 2023 DRV8952

PRODUCTION DATA

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）

DDW|44
- MPDS309B
PWP|28
- MPDS373B

サーマルパッド・メカニカル・データ

DDW|44
- PPTD374
PWP|28
- PPTD376

発注情報

jajsl44_oa

6.5 電気的特性

標準値は T_A = 25℃、V_VM = 24V での値です。特に記述のない限り、すべての限界値は推奨動作条件の全範囲を満たすものとします。

パラメータ		テスト条件	最小値	標準値	最大値	単位
電源 (VM、DVDD)
I_VM	VM 動作電源電流	nSLEEP = 1、無負荷、VCC=外部 5V		4	7	mA
I_VM	VM 動作電源電流	nSLEEP = 1、無負荷、VCC = DVDD		6	9	mA
I_VMQ	VM スリープ・モード電源電流	nSLEEP = 0		3	8	μA
t_SLEEP	スリープ時間	nSLEEP = 0 からスリープ・モードまで	120			μs
t_RESET	nSLEEP リセット・パルス	nSLEEP = Low でフォルトをクリア	20		40	μs
t_WAKE	ウェークアップ時間	nSLEEP = 1 で出力遷移		0.85	1.2	ms
t_ON	ターンオン時間	VM > UVLO で出力遷移		0.85	1.3	ms
V_DVDD	内部レギュレータ電圧	外部負荷なし、6V < V_VM < 55V	4.75	5	5.25	V
V_DVDD	内部レギュレータ電圧	外部負荷なし、V_VM = 4.5V	4.2	4.35		V
チャージ・ポンプ (VCP、CPH、CPL)
V_VCP	VCP 動作電圧	6V < V_VM < 55V		V_VM + 5		V
f_(VCP)	チャージ・ポンプのスイッチング周波数	V_VM > UVLO、nSLEEP = 1		360		kHz
ロジック・レベル入力 (IN1、IN2、IN3、IN4、EN1、EN2、EN3、EN4、MODE、OCPM、nSLEEP)
V_IL	入力ロジック Low 電圧		0		0.6	V
V_IH	入力ロジック High 電圧		1.5		5.5	V
V_HYS	入力ロジック・ヒステリシス (nSLEEP を除くすべてのピン)			100		mV
V_{HYS_nSLEEP}	nSLEEP ロジック・ヒステリシス			300		mV
I_IL	入力ロジック Low 電流	V_IN = 0V	-1		1	μA
I_IH	入力ロジック High 電流	V_IN = DVDD			50	μA
t₁	ENx High から OUTx High の遅延	INx = 1			2	μs
t₂	ENx Low から OUTx Low の遅延	INx = 1			2	μs
t₃	ENx High から OUTx Low の遅延	INx = 0			2	μs
t₄	ENx Low から OUTx High の遅延	INx = 0			2	μs
t₅	INx High から OUTx High の遅延			600		ns
t₆	INx Low から OUTx Low の遅延			600		ns
制御出力 (nFAULT)
V_OL	出力ロジック Low 電圧	I_O = 5mA			0.35	V
I_OH	出力ロジック High リーク電流		-1		1	μA
モーター・ドライバ出力 (OUT1、OUT2、OUT3、OUT4)
R_{DS(ONH、DDW)}	ハイサイド FET オン抵抗、DDW パッケージ	T_J = 25℃、I_O = -5A、DDW パッケージ		54	63	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = -5A、DDW パッケージ		80	94	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = -5A、DDW パッケージ		90	105	mΩ
R_{DS(ONL、DDW)}	ローサイド FET オン抵抗、DDW パッケージ	T_J = 25℃、I_O = 5A、DDW パッケージ		58	66	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = 5A、DDW パッケージ		85	98	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = 5A、DDW パッケージ		94	107	mΩ
R_{DS(ONH、PWP)}	ハイサイド FET オン抵抗、PWP パッケージ	T_J = 25℃、I_O = -5A、PWP パッケージ		58	65	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = -5A、PWP パッケージ		85	98	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = -5A、PWP パッケージ		94	107	mΩ
R_{DS(ONL、PWP)}	ローサイド FET オン抵抗、PWP パッケージ	T_J = 25℃、I_O = 5A、PWP パッケージ		55	66	mΩ
		T_J = 125℃、I_O = 5A、PWP パッケージ		83	100	mΩ
		T_J = 150℃、I_O = 5A、PWP パッケージ		94	116	mΩ
t_RF	出力立ち上がり / 立ち下がり時間	DDW パッケージまたは PWP パッケージの場合、I_O = 5A、MODE = 0、10%～90% の範囲		140		ns
t_RF	出力立ち上がり / 立ち下がり時間	DDW パッケージの場合、I_O = 5A、MODE = 1、10%～90% の範囲		70		ns
t_D	出力デッドタイム	VM = 24V、I_O = 5A		300		ns
電流検出およびレギュレーション (IPROPI、VREF)
A_IPROPI	電流ミラー・ゲイン			212		μA/A
K_V	トランスインピーダンス・ゲイン	VREF = 3.3V、PWP パッケージ	0.625	0.66	0.695	V/A
A_ERR	電流ミラー・スケーリング誤差	定格電流の 10%～20%	-7		9	%
		定格電流の 20%～40%	-4		6
		40%～100% 定格電流	-3.5		5
I_VREF	VREF リーク電流	VREF = 3.3V			20	nA
t_OFF	PWM オフ時間			16		μs
t_DEG	電流レギュレーション・グリッチ除去時間			0.5		μs
t_BLK	電流レギュレーション・ブランキング時間			1.5		μs
t_DELAY	電流検出遅延時間			2		μs
保護回路
V_UVLO	VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)	VM 立ち下がり	4.1	4.23	4.35	V
V_UVLO	VM 低電圧誤動作防止 (UVLO)	VM 立ち上がり	4.2	4.35	4.47	V
VCC_UVLO	VCC 低電圧誤動作防止 (UVLO)	VCC 立ち下がり	2.7	2.8	2.9	V
VCC_UVLO	VCC 低電圧誤動作防止 (UVLO)	VCC 立ち上がり	2.75	2.92	3.05	V
V_UVLO,HYS	低電圧ヒステリシス	立ち上がりから立ち下がりへのスレッショルド		110		mV
V_CPUV	チャージ・ポンプ低電圧	VCP 立ち下がり		V_VM + 2		V
I_OCP	過電流保護	いずれかの FET を流れる電流	7.6			A
t_OCP	過電流検出遅延			2.2		μs
t_RETRY	過電流リトライ時間			4.1		ms
T_OTSD	サーマル・シャットダウン	ダイ温度 T_J	150	165	180	℃
T_{HYS_OTSD}	サーマル・シャットダウン・ヒステリシス	ダイ温度 T_J		20		℃

図 6-1 IPROPI のタイミング図