JAJSL44 March 2023 DRV8952
PRODUCTION DATA
ハイサイド再循環を使用する H ブリッジの場合、各 FET の消費電力は次のように概算できます。
PHS1 = RDS(ON) × IL2
PLS1 = 0
PHS2 = [RDS(ON) × IL2 × (1-D)] + [2 × VD × IL × tD × fPWM]
PLS2 = [RDS(ON) × IL2 × D] + [VM × IL × tRF × fPWM]
逆方向の負荷電流フローの消費電力を推定するためにも同じ式が適用されますが、HS1 を HS2 に、LS1 を LS2 に交換します。
上記の式に次の値を代入します。
VM = 24V
IL = 4A
RDS(ON) = 56mΩ
D = 0.5
VD = 1V
TD = 300ns
tRF = 140ns
fPWM = 20kHz
各 FET での損失は次のように計算できます。
PHS1 = 56mΩ × 42 = 0.896W
PLS1 = 0
PHS2 = [56mΩ × 42 × (1-0.5)] + [2 × 1V × 4A × 300ns × 20kHz] = 0.496W
PLS2 = [56mΩ × 42 × 0.5] + [24 × 4A × 140ns × 20kHz] = 0.717W
静止電流損失 PQ = 24V × 4mA = 0.096W
PTOT = 2 × (PHS1 + PLS1 + PHS2 + PLS2) + PQ = 2 × (0.896 + 0 + 0.496 + 0.717) + 0.096 = 4.314W