JAJSFM0E September   1997  – June 2018 ISO124

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
      1. 7.1.1 Modulator
      2. 7.1.2 Demodulator
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Isolation Amplifier
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Carrier Frequency Considerations
      2. 8.1.2 Isolation Mode Voltage Induced Errors
      3. 8.1.3 High IMV dV/dt Errors
      4. 8.1.4 High Voltage Testing
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Output Filters
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 Battery Monitor
      3. 8.2.3 Programmable Gain Amplifier
      4. 8.2.4 Thermocouple Amplifier
      5. 8.2.5 Isolated 4-mA to 20-mA Instrument Loop
      6. 8.2.6 Single-Supply Operation of the ISO124 Isolation Amplifier
      7. 8.2.7 Input-Side Powered ISO Amplifier
      8. 8.2.8 Powered ISO Amplifier With Three-Port Isolation
  9. 9 Power Supply Recommendations
    1. 9.1 Signal and Supply Connections
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • NVF|8
  • DVA|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 Thermal Information

THERMAL METRIC(1) ISO124 UNIT
DVA (SOIC) NVF (PDIP)
28 PINS 16 PINS
RθJA Junction-to-ambient thermal resistance 79.8 51.0 °C/W
RθJC(top) Junction-to-case (top) thermal resistance 32.9 32.4 °C/W
RθJB Junction-to-board thermal resistance 42.2 29.5 °C/W
ψJT Junction-to-top characterization parameter 6.6 10.4 °C/W
ψJB Junction-to-board characterization parameter 40.9 29.0 °C/W
(1) For more information about traditional and new thermal metrics, see the Semiconductor and IC Package Thermal Metrics application report.