JAJSFM0E September   1997  – June 2018 ISO124

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
    1.     Device Images
      1.      概略回路図
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
      1. 7.1.1 Modulator
      2. 7.1.2 Demodulator
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Isolation Amplifier
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Carrier Frequency Considerations
      2. 8.1.2 Isolation Mode Voltage Induced Errors
      3. 8.1.3 High IMV dV/dt Errors
      4. 8.1.4 High Voltage Testing
    2. 8.2 Typical Applications
      1. 8.2.1 Output Filters
        1. 8.2.1.1 Design Requirements
        2. 8.2.1.2 Detailed Design Procedure
        3. 8.2.1.3 Application Curves
      2. 8.2.2 Battery Monitor
      3. 8.2.3 Programmable Gain Amplifier
      4. 8.2.4 Thermocouple Amplifier
      5. 8.2.5 Isolated 4-mA to 20-mA Instrument Loop
      6. 8.2.6 Single-Supply Operation of the ISO124 Isolation Amplifier
      7. 8.2.7 Input-Side Powered ISO Amplifier
      8. 8.2.8 Powered ISO Amplifier With Three-Port Isolation
  9. 9 Power Supply Recommendations
    1. 9.1 Signal and Supply Connections
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 ドキュメントのサポート
      1. 11.1.1 関連資料
    2. 11.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 11.3 コミュニティ・リソース
    4. 11.4 商標
    5. 11.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 11.6 Glossary
  12. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • NVF|8
  • DVA|8
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

11.5 静電気放電に関する注意事項

esds-image

すべての集積回路は、適切なESD保護方法を用いて、取扱いと保存を行うようにして下さい。

静電気放電はわずかな性能の低下から完全なデバイスの故障に至るまで、様々な損傷を与えます。高精度の集積回路は、損傷に対して敏感であり、極めてわずかなパラメータの変化により、デバイスに規定された仕様に適合しなくなる場合があります。