JAJS479J May   2008  – August 2023 ISO3080 , ISO3082 , ISO3086 , ISO3088

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1  絶対最大定格
    2. 6.2  ESD 定格
    3. 6.3  推奨動作条件
    4. 6.4  熱に関する情報
    5. 6.5  絶縁仕様
    6. 6.6  安全関連認証
    7. 6.7  安全限界値
    8. 6.8  電気的特性：ドライバ
    9. 6.9  電気的特性：レシーバ
    10. 6.10 電源電流
    11. 6.11 スイッチング特性：ドライバ
    12. 6.12 スイッチング特性：レシーバ
    13. 6.13 絶縁特性曲線
    14. 6.14 代表的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
    4. 8.4 デバイスの機能モード
      1. 8.4.1 デバイス I/O 回路図
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 設計要件
      2. 9.2.2 詳細な設計手順
      3. 9.2.3 アプリケーション曲線
  11. 10電源に関する推奨事項
  12. 11レイアウト
    1. 11.1 レイアウトのガイドライン
    2. 11.2 レイアウト例
  13. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 12.3 サポート・リソース
    4. 12.4 商標
    5. 12.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 12.6 用語集
  14. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • DW|16
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.4 熱に関する情報

熱評価基準(1) ISO308x 単位
DW (SOIC)
16 ピン
RθJA 接合部から周囲への熱抵抗 79.6 ℃/W
RθJC(top) 接合部からケース (上面) への熱抵抗 39.7 ℃/W
RθJB 接合部から基板への熱抵抗 44.7 ℃/W
ψJT 接合部から上面への特性パラメータ 13.2 ℃/W
ψJB 接合部から基板への特性パラメータ 44.0 ℃/W
RθJC(bot) 接合部からケース (底面) への熱抵抗 — ℃/W
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション・レポートを参照してください。