JAJSCI3 September 2016 ISO5851-Q1
PRODUCTION DATA.
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
ISO5851-Q1は、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS、強化絶縁ゲート・ドライバで、2.5Aソースおよび5Aシンク電流を持ちます。入力側は、単一の3Vおよび5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。
内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過負荷状況にあることが認識されます。DESATを検出すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2ポテンシャルまでLOWに駆動され、IGBTはただちにオフになります。
不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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ISO5851-Q1 | SOIC (16) | 10.30mm×7.50mm |