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ISO5851-Q1

アクティブ

車載対応、アクティブ保護機能搭載、5.7kVrms、2.5A/5A シングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
UCC21750-Q1 アクティブ 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ Newer generation, integrated Analog-to-PWM sensor

ISO5851-Q1

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 5 Features Active miller clamp, Fault reporting, Power good, Short circuit protection Output VCC/VDD (max) (V) 30 Output VCC/VDD (min) (V) 15 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.076 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 20 Fall time (ns) 20 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 車載アプリケーション用に認定済み
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲　　　　–40°C～125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • VCM = 1500Vでの最小同相過渡耐性(CMTI): 100kV/μs
  • 2.5Aピーク・ソースおよび5Aピーク・シンク電流
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより、リセットはRSTにより通知
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 3V～5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V～30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
  • 安全性および規制の認定
    • 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMDIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC 60950–1およびIEC 60601–1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠のすべての認定を完了、CSA認定は計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 車載アプリケーション用に認定済み
  • 下記内容でAEC-Q100認定済み
    • デバイス温度グレード1: 動作時周囲温度範囲　　　　–40°C～125°C
    • デバイスHBM分類レベル3A
    • デバイスCDM分類レベルC6
  • VCM = 1500Vでの最小同相過渡耐性(CMTI): 100kV/μs
  • 2.5Aピーク・ソースおよび5Aピーク・シンク電流
  • 短い伝搬遅延: 76ns (標準値)、
    110ns (最大値)
  • 2Aのアクティブ・ミラー・クランプ
  • 出力短絡クランプ
  • 不飽和化検出時のフォルト・アラームはFLTにより、リセットはRSTにより通知
  • 入出力低電圧誤動作防止(UVLO)、レディ(RDY)ピンによる標示付き
  • 低電源またはフローティング入力時のアクティブ出力プルダウンおよびデフォルトLOW出力
  • 入力電源電圧: 3V～5.5V
  • 出力ドライバ供給電圧: 15V～30V
  • CMOS互換の入力
  • 20ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
  • 絶縁サージ耐久電圧: 12800VPK
  • 安全性および規制の認定
    • 8000VPK VIOTMおよび2121VPK VIORMDIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12準拠の強化絶縁
    • UL1577準拠で5700VRMSにおいて1分間の絶縁
    • CSA Component Acceptance Notice 5A、IEC 60950–1およびIEC 60601–1最終機器標準
    • EN 61010-1およびEN 60950-1準拠のTUV認定
    • GB4943.1-2011 CQC認定
    • UL、VDE、CQC、TUV準拠のすべての認定を完了、CSA認定は計画中

アプリケーション

  • 次のような用途の絶縁IGBTおよびMOSFETドライブ
    • HEVおよびEVの電源モジュール
    • 産業用モータ制御ドライブ
    • 産業用電源
    • ソーラー・インバータ
    • 誘導加熱

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ISO5851-Q1は、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS、強化絶縁ゲート・ドライバで、2.5Aソースおよび5Aシンク電流を持ちます。入力側は、単一の3Vおよび5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過負荷状況にあることが認識されます。DESATを検出すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2ポテンシャルまでLOWに駆動され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。

All trademarks are the property of their respective owners.

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5851-Q1は、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～125℃の周囲温度範囲について規定されています。

ISO5851-Q1は、IGBTおよびMOSFET用の5.7kVRMS、強化絶縁ゲート・ドライバで、2.5Aソースおよび5Aシンク電流を持ちます。入力側は、単一の3Vおよび5.5V電源で動作します。出力側は、最低15V、最高30Vの電源を供給できます。2つの相補CMOS入力により、ゲート・ドライバの出力状態が制御されます。伝搬時間が76nsと短いため、出力ステージを正確に制御できます。

内部不飽和化(DESAT)フォルト検出により、IGBTが過負荷状況にあることが認識されます。DESATを検出すると、ゲート・ドライバ出力がVEE2ポテンシャルまでLOWに駆動され、IGBTはただちにオフになります。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。

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バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。

不飽和化がアクティブのとき、絶縁バリアを通してフォルト信号が送信され、入力側のFLT出力がLOWになって、アイソレータ入力がブロックされます。このFLT出力状況はラッチされ、RST入力のLOWアクティブのパルスによりリセットできます。

バイポーラ電源による通常動作時にIGBTがオフになると、出力はVEE2にハード・クランプされます。出力電源がユニポーラの場合、アクティブなミラー・クランプを使用でき、低インピーダンスのパスを通してミラー電流をシンクできるため、高電圧の過渡状況でIGBTが動的にオンになることが防止されます。

ゲート・ドライバの動作準備は、入力側と出力側の電源を監視する2つの低電圧誤動作防止回路により制御されます。いずれかの側の電源が不十分な場合はRDY出力がLOWになり、そうでない場合はこの出力がHIGHになります。

ISO5851-Q1は、16ピンのSOICパッケージで供給されます。デバイスの動作は、-40℃～125℃の周囲温度範囲について規定されています。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISO5851-Q1アクティブ安全機能搭載の高CMTI 2.5A/5A絶縁 IGBT、MOSFETゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 最新英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2016年 10月 20日
アプリケーション・ノート Choosing Appropriate Protection Approach for IGBT and SiC Power Modules PDF | HTML 2024年 7月 19日
証明書 VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 2024年 2月 29日
ユーザー・ガイド UCC217xx and ISO5x5x Half-Bridge EVM User's Guide for Wolfspeed 1200-V SiC 2023年 9月 1日
証明書 ISO5451 CQC Certificate of Product Certification 2023年 8月 16日
証明書 TUV Certificate for Isolation Devices (Rev. K) 2022年 8月 5日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. P) 2022年 8月 5日
アプリケーション概要 The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 2021年 12月 16日
証明書 CSA Certification (Rev. Q) 2021年 6月 14日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
EVM ユーザー ガイド (英語) ISO5851 Evaluation Module User's Guide 2015年 6月 19日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

ISO5851EVM — ISO5851 評価モジュール（EVM）

This evaluation module, featuring ISO5851 reinforced isolated gate driver device, allows designers to evaluate device AC and DC performance with a pre-populated 1-nF load or with a user-installed IGBT in either of the standard TO-247 or TO-220 packages.

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

ISO5851 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLLM447.ZIP (3 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リクエスト
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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