JAJSSO9B
August 2023 – April 2024
ISO6520
,
ISO6521
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Pin Configuration and Functions
5
Specifications
5.1
Absolute Maximum Ratings
5.2
ESD Ratings
5.3
Recommended Operating Conditions
5.4
Thermal Information
5.5
Package Characteristics
5.6
Electrical Characteristics—5-V Supply
5.7
Supply Current Characteristics—5-V Supply
5.8
Electrical Characteristics—3.3-V Supply
5.9
Supply Current Characteristics—3.3-V Supply
5.10
Electrical Characteristics—2.5-V Supply
5.11
Supply Current Characteristics—2.5-V Supply
5.12
Electrical Characteristics—1.8-V Supply
5.13
Supply Current Characteristics—1.8-V Supply
5.14
Switching Characteristics—5-V Supply
5.15
Switching Characteristics—3.3-V Supply
5.16
Switching Characteristics—2.5-V Supply
5.17
Switching Characteristics—1.8-V Supply
5.18
Typical Characteristics
6
Parameter Measurement Information
7
Detailed Description
7.1
Overview
7.2
Functional Block Diagram
7.3
Feature Description
7.4
Device Functional Modes
7.4.1
Device I/O Schematics
8
Application and Implementation
8.1
Application Information
8.2
Typical Application
8.2.1
Design Requirements
9
Power Supply Recommendations
10
Layout
10.1
Layout Guidelines
10.1.1
PCB Material
10.2
Layout Example
11
Device and Documentation Support
11.1
Documentation Support
11.1.1
Related Documentation
11.2
Receiving Notification of Documentation Updates
11.3
サポート・リソース
11.4
Trademarks
11.5
静電気放電に関する注意事項
11.6
用語集
12
Revision History
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
D|8
MSOI002K
REU|8
MPSS169
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsso9b_oa
jajsso9b_pm
1
特長
デュアルチャネル、CMOS 出力機能的アイソレータ
50Mbps のデータ レート
CMTI が ±150kV/μs (標準値) の
堅牢な SiO
2
絶縁バリア
機能絶縁 (8-REU):
200V
RMS
、280V
DC
の動作電圧
570V
RMS
、800V
DC
の過渡電圧 (60s)
機能絶縁 (8-D):
450V
RMS
、637V
DC
の動作電圧
707V
RMS
、1000V
DC
の過渡電圧 (60s)
沿面距離 >2.2mm のコンパクトな 8-REU パッケージで供給
幅広い電源電圧範囲:1.71V~1.89V、2.25V~5.5V
1.71V から 5.5V への電圧変換
デフォルト出力 HIGH (ISO652x) および LOW (ISO652xF) のオプション
幅広い温度範囲:-40℃~125℃
チャネルごとに 1.8mA (標準値、3.3V、1Mbps 時)
小さい伝搬遅延:11ns (標準値、3.3V 時)
堅牢な電磁両立性 (EMC)
システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
きわめて低い電磁放射
Leadless-DFN (8-REU) パッケージおよび Narrow-SOIC (D-8) パッケージのオプション