ISO6520

アクティブ

機能絶縁、デュアルチャネル、2/0 デジタル アイソレータ

製品詳細

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 2 forward / 0 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (REU) 8 6 mm² 3 x 2
  • デュアルチャネル、CMOS 出力機能的アイソレータ
  • 50Mbps のデータ レート
  • CMTI が ±150kV/µs (標準値) の堅牢な SiO2 絶縁バリア
  • 機能絶縁 (8-REU):
    • 200VRMS、280VDC の動作電圧
    • 570VRMS、800VDC の過渡電圧 (60s)
  • 機能絶縁 (8-D):
    • 450VRMS、637VDC の動作電圧
    • 707VRMS、1000VDC の過渡電圧 (60s)
  • 沿面距離 >2.2mm のコンパクトな 8-REU パッケージで供給
  • 幅広い電源電圧範囲:1.71V~1.89V、2.25V~5.5V
  • 1.71V から 5.5V への電圧変換
  • デフォルト出力 HIGH (ISO652x) および LOW (ISO652xF) のオプション
  • 幅広い温度範囲:-40℃~125℃
  • チャネルごとに 1.8mA (標準値、3.3V、1Mbps 時)
  • 小さい伝搬遅延:11ns (標準値、3.3V 時)
  • 堅牢な電磁両立性 (EMC)
    • システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
    • きわめて低い電磁放射
  • Leadless-DFN (8-REU) パッケージおよび Narrow-SOIC (D-8) パッケージのオプション
  • デュアルチャネル、CMOS 出力機能的アイソレータ
  • 50Mbps のデータ レート
  • CMTI が ±150kV/µs (標準値) の堅牢な SiO2 絶縁バリア
  • 機能絶縁 (8-REU):
    • 200VRMS、280VDC の動作電圧
    • 570VRMS、800VDC の過渡電圧 (60s)
  • 機能絶縁 (8-D):
    • 450VRMS、637VDC の動作電圧
    • 707VRMS、1000VDC の過渡電圧 (60s)
  • 沿面距離 >2.2mm のコンパクトな 8-REU パッケージで供給
  • 幅広い電源電圧範囲:1.71V~1.89V、2.25V~5.5V
  • 1.71V から 5.5V への電圧変換
  • デフォルト出力 HIGH (ISO652x) および LOW (ISO652xF) のオプション
  • 幅広い温度範囲:-40℃~125℃
  • チャネルごとに 1.8mA (標準値、3.3V、1Mbps 時)
  • 小さい伝搬遅延:11ns (標準値、3.3V 時)
  • 堅牢な電磁両立性 (EMC)
    • システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
    • きわめて低い電磁放射
  • Leadless-DFN (8-REU) パッケージおよび Narrow-SOIC (D-8) パッケージのオプション

ISO652x デバイスは、安全ではないアプリケーション用の絶縁を必要とするが、コスト重視でスペースに制約があるようなアプリケーション向けに設計された、高性能なデュアル チャネルの機能的アイソレータです。この絶縁バリアは、200VRMS / 280VDC の動作電圧と、570VRMS / 800VDC の過渡電圧に対応しています。

デバイスは、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁しながら、低消費電力で高い電磁気耐性と低い放射を実現します。各絶縁チャネルは、 テキサス・インスツルメンツの二重容量性二酸化ケイ素 (SiO2) 絶縁バリアで分離されたロジック入力および出力バッファを備えています。 ISO6520 は 2 つの絶縁チャネルを備えており、どちらのチャネルも同一方向です。 ISO6521 は 2 つの絶縁チャネルを備えており、各チャネルは別方向です。入力電力または入力信号が失われた場合のデフォルト出力は、接尾辞 F のないデバイスでは High、接尾辞 F のあるデバイスでは Low です。詳細は「デバイスの機能モード」のセクションを参照してください。

これらのデバイスにより、UART、SPI、RS-485、RS-232、CAN などのデータ バスのノイズ電流によって敏感な回路が損傷を受けることを防止できます。チップ設計およびレイアウト技法により、 は電磁両立性が大幅に強化されているため、システム レベルの ESD および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。

ISO652x デバイスは、安全ではないアプリケーション用の絶縁を必要とするが、コスト重視でスペースに制約があるようなアプリケーション向けに設計された、高性能なデュアル チャネルの機能的アイソレータです。この絶縁バリアは、200VRMS / 280VDC の動作電圧と、570VRMS / 800VDC の過渡電圧に対応しています。

デバイスは、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁しながら、低消費電力で高い電磁気耐性と低い放射を実現します。各絶縁チャネルは、 テキサス・インスツルメンツの二重容量性二酸化ケイ素 (SiO2) 絶縁バリアで分離されたロジック入力および出力バッファを備えています。 ISO6520 は 2 つの絶縁チャネルを備えており、どちらのチャネルも同一方向です。 ISO6521 は 2 つの絶縁チャネルを備えており、各チャネルは別方向です。入力電力または入力信号が失われた場合のデフォルト出力は、接尾辞 F のないデバイスでは High、接尾辞 F のあるデバイスでは Low です。詳細は「デバイスの機能モード」のセクションを参照してください。

これらのデバイスにより、UART、SPI、RS-485、RS-232、CAN などのデータ バスのノイズ電流によって敏感な回路が損傷を受けることを防止できます。チップ設計およびレイアウト技法により、 は電磁両立性が大幅に強化されているため、システム レベルの ESD および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISO652x 汎用、デュアルチャネル、機能的アイソレータ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 4月 10日
ホワイト・ペーパー Shrinking Solution Size and Cost With Functional Isolation PDF | HTML 2024年 8月 22日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

ISO6521REUEVM — ISO6521 デジタル信号向け、デュアルチャネル、機能絶縁型アイソレータの評価基板

ISO6521REUEVM は、8 ピン DFN パッケージ封止、デュアルチャネル、機能絶縁型アイソレータである ISO6521 の評価に適した評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) には追加のフットプリントがあり、開発ユーザーは複数の部品を追加して、さまざまな一般的なアプリケーションをテストするフレキシビリティを確保できます。また、この評価基板 (EVM) は複数のテスト ポイントを搭載しており、最小点数の外部部品でデバイスを評価できます。

ユーザー ガイド: PDF | HTML
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (REU) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

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