JAJSNL9 July 2022 ISOW7721
PRODUCTION DATA
このパワー・コンバータは効率が高いため、-40℃~+125℃ の広い周囲温度範囲で動作します。このデバイスは、放射性能が改善されているのでボード設計を簡素化でき、フェライト・ビーズを取り付けてさらに放射を減衰させることができます。ISOW7721 は、突入電流を制限するソフトスタート、過電圧および低電圧誤動作防止、過負荷および短絡保護、サーマル・シャットダウンなど、保護機能の強化を念頭に置いて設計されています。
ISOW7721 は、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁すると同時に、優れた電磁気耐性を実現します。信号絶縁チャネルでは、二酸化ケイ素 (SiO2) の二重容量性絶縁バリアによって、ロジック入力および出力バッファが分離されています。また電力絶縁には、薄膜ポリマーを絶縁素材としたオンチップのトランスを使用しています。ISOW7721 は 1 つの順方向チャネルと 1 つの逆方向チャネルを備えています。入力信号が消失した場合のデフォルト出力は、接尾辞 F の付かない ISOW7721 デバイスでは High、接尾辞 F が付いた ISOW7721F デバイスでは Low です。ISOW7721 は、VIO と VDD を PCB 上で接続することにより、3V~5.5V の単一電源電圧で動作できます。より低いロジック・レベルが必要とされる場合、これらのデバイスは、3V~5.5V のパワー・コンバータ電源電圧 (VDD) とは別に、1.71V~5.5V のロジック電源 (V IO) に対応可能です。VISOIN と VISOOUT は、基板上でフェライト・ビーズを使用して両者の間を接続するか、または LDO により電源を供給する必要があります。
これらのデバイスを使用すれば、UART、RS-485、RS-232、CAN などのデータバスや他の回路のノイズ電流がローカル・グランドに混入して敏感な回路に干渉や損傷を与えることを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、このデバイスは電磁両立性が大幅に強化されているため、システム・レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。このデバイスは、20 ピンの SOIC ワイド・ボディ (SOIC-WB) DFM パッケージで供給されます。