JAJSJM0B june   2021  – april 2023 JFE150

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 AC Measurement Configurations
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Ultra-Low Noise
      2. 8.3.2 Low Gate Current
      3. 8.3.3 Input Protection
    4. 8.4 Device Functional Modes
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Input Protection Diodes
      2. 9.1.2 Capacitive Transducer Input Stage
      3. 9.1.3 Common-Source Amplifier
      4. 9.1.4 Composite Amplifiers
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
      2. 9.4.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 Development Support
        1. 10.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 10.1.1.2 TINA-TI™シミュレーション・ソフトウェア (無償ダウンロード)
        3. 10.1.1.3 TI のリファレンス・デザイン
        4. 10.1.1.4 フィルタ設計ツール
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

3 概要

JFE150 は、テキサス・インスツルメンツの最新の高性能アナログ・バイポーラ・プロセスで構築された Burr-Brown™ ディスクリート JFET です。JFE150 は、従来のディスクリート JFET テクノロジでは利用できなかった性能を備えています。JFE150 は、ノイズから電力までの効率と柔軟性を最大化します。この場合、静止電流をユーザーが設定し、50μA～20mA の電流で優れたノイズ性能を発揮できます。5mA でバイアスすると、入力換算ノイズ 0.8nV/√Hz が得られ、超高入力インピーダンス (1TΩ 超) で超低ノイズ性能を実現します。JFE150 は、個別のクランプ・ノードに接続されたダイオードも内蔵しており、高リークの非線形外部ダイオードを追加せずに保護機能を提供します。

JFE150 は、高ドレイン・ソース間で 40V、ゲート・ソース間、ゲート・ドレイン間で -40V の電圧です。温度範囲は -40℃～+125℃ で規定され、5 ピンの SOT-23 および SC-70 パッケージで供給されます。

パッケージ情報
部品番号 パッケージ (1) 本体サイズ (公称)
JFE150 DBV (SOT-23、5) 2.90mm × 1.60mm
DCK (SC70、5) 2.00mm × 1.25mm
(1) 利用可能なパッケージについては、データシートの末尾にあるパッケージ・オプションについての付録を参照してください。
デバイスの概要
パラメータ 値
VGSS ゲート・ソース間ブレークダウン電圧 –40V
VDSS ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧 ±40V
CISS 入力容量 24pF
TJ 接合部温度 –40℃～+125℃
IDSS ドレイン・ソース間飽和電流 35mA

 

GUID-20210429-CA0I-QKGS-JW8F-X2MKFMBXLCWX-low.svg機能ブロック図
GUID-20210618-CA0I-C55B-MQP0-VCFS9KMSNJXR-low.png超低入力電圧ノイズ