JAJSJM0B june   2021  – april 2023 JFE150

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  8. 7 Parameter Measurement Information
    1. 7.1 AC Measurement Configurations
  9. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagram
    3. 8.3 Feature Description
      1. 8.3.1 Ultra-Low Noise
      2. 8.3.2 Low Gate Current
      3. 8.3.3 Input Protection
    4. 8.4 Device Functional Modes
  10. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
      1. 9.1.1 Input Protection Diodes
      2. 9.1.2 Capacitive Transducer Input Stage
      3. 9.1.3 Common-Source Amplifier
      4. 9.1.4 Composite Amplifiers
    2. 9.2 Typical Application
      1. 9.2.1 Design Requirements
      2. 9.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3 Application Curves
    3. 9.3 Power Supply Recommendations
    4. 9.4 Layout
      1. 9.4.1 Layout Guidelines
      2. 9.4.2 Layout Example
  11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
      1. 10.1.1 Development Support
        1. 10.1.1.1 PSpice® for TI
        2. 10.1.1.2 TINA-TI™シミュレーション・ソフトウェア (無償ダウンロード)
        3. 10.1.1.3 TI のリファレンス・デザイン
        4. 10.1.1.4 フィルタ設計ツール
    2. 10.2 Documentation Support
      1. 10.2.1 Related Documentation
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

4 Revision History

Changes from Revision A (November 2021) to Revision B (April 2023)

  • DBV パッケージ (SOT-23、5) をプレビューから量産データ (アクティブ) に変更し、関連コンテンツを追加Go
  • 「電気的特性」と一致するように「デバイスの概要」表のパラメータの説明を「ゲート・ソース間電圧」から「ゲート・ソース間ブレークダウン電圧」に、「ドレイン・ソース間電圧」から「ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧」に変更 Go
  • 「電気的特性」と一致するように「デバイスの概要」表の「ドレイン・ソース間飽和電流」の値を 36mA から 35mA に変更 Go
  • Changed VCH and VCL pin type and description in Pin Functions to reflect optional nature of diode clampsGo
  • Changed Figure 6-2, Drain-to-Source Current vs Drain-to-Source Voltage, to show correct VGS valuesGo
  • Changed Figure 8-1, VDS vs IDS , to show correct VGS values and improve image resolutionGo
  • Added JFE150EVM user's guide and JFE150 Ultra-Low-Noise Pre-Amp application note to Related Documentation Go

Changes from Revision * (June 2021) to Revision A (November 2021)

  • Changed VGS minimum from –1.1 V to –1.3 V (100 µA), –0.9 V to –1.1 V (2 mA) Go
  • Changed Figure 6-3, Drain-to-Source Current vs Drain-to-Source Voltage, to show correct VGS valuesGo