JAJSRF3A September   2023  – October 2023 LM2104

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Revision History
  6. 5 Pin Configuration and Functions
  7. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Switching Characteristics
    7. 6.7 Timing Diagrams
    8. 6.8 Typical Characteristics
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 起動と UVLO
      2. 7.3.2 Input Stages
      3. 7.3.3 レベル・シフト
      4. 7.3.4 出力段
      5. 7.3.5 グランドより低い SH 過渡電圧
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 ブートストラップおよび GVDD コンデンサの選択
        2. 8.2.2.2 外部ゲート・ドライバ抵抗の選択
        3. 8.2.2.3 ドライバの電力損失の推定
      3. 8.2.3 Application Curves
  10. 9 Power Supply Recommendations
  11. 10レイアウト
    1. 10.1 レイアウトのガイドライン
    2. 10.2 レイアウト例
  12. 11デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 11.1 デバイスのサポート
      1. 11.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 11.2 ドキュメントのサポート
      1. 11.2.1 関連資料
    3. 11.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 11.4 サポート・リソース
    5. 11.5 商標
    6. 11.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 11.7 用語集
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • D|8
サーマルパッド・メカニカル・データ

7.3.4 出力段

出力段は、パワー・トレイン内のパワー MOSFET へのインターフェイスです。両方の出力で高いスルーレート、低い抵抗、高いピーク電流能力を実現しているため、パワー MOSFET の効率的なスイッチングが可能です。ローサイド出力段は GND を基準とし、ハイサイドは SH を基準とします。