JAJS807F December   1999  – May 2016 LM3411

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics: 3.3-V Version
    6. 6.6 Electrical Characteristics: 5-V Version
    7. 6.7 Typical Characteristics
  7. 7 Parameter Measurement Information
  8. 8 Detailed Description
    1. 8.1 Overview
    2. 8.2 Functional Block Diagrams
    3. 8.3 Feature Description
    4. 8.4 Device Functional Modes
  9. 9 Application and Implementation
    1. 9.1 Application Information
    2. 9.2 Typical Applications
      1. 9.2.1  LM3411 Typical Application
        1. 9.2.1.1 Design Requirements
        2. 9.2.1.2 Detailed Design Procedure
          1. 9.2.1.2.1 Compensation
          2. 9.2.1.2.2 Test Circuit
        3. 9.2.1.3 Application Curves
      2. 9.2.2  Isolated 250-mA Flyback Switching Regulator
        1. 9.2.2.1 Design Requirements
        2. 9.2.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 9.2.3  Isolated 1.5-A Flyback Switching Regulator
        1. 9.2.3.1 Design Requirements
        2. 9.2.3.2 Detailed Design Procedure
      4. 9.2.4  Precision 1-A Buck Regulator
        1. 9.2.4.1 Design Requirements
        2. 9.2.4.2 Detailed Design Procedure
      5. 9.2.5  Negative Input, Negative or Positive Output Flyback Regulator
        1. 9.2.5.1 Design Requirements
        2. 9.2.5.2 Detailed Design Procedure
      6. 9.2.6  Precision 5-V, 1-A Low Dropout Regulator
        1. 9.2.6.1 Design Requirements
        2. 9.2.6.2 Detailed Design Procedure
      7. 9.2.7  3.3-V, 0.5-A Low Dropout Regulator
        1. 9.2.7.1 Design Requirements
        2. 9.2.7.2 Detailed Design Procedure
      8. 9.2.8  Precision Positive Voltage Regulator With Accurate Current Limit
        1. 9.2.8.1 Design Requirements
        2. 9.2.8.2 Detailed Design Procedure
      9. 9.2.9  Precision Negative Voltage Regulator
        1. 9.2.9.1 Design Requirements
        2. 9.2.9.2 Detailed Design Procedure
      10. 9.2.10 4.7-V Power ON Detector With Hysteresis
        1. 9.2.10.1 Detailed Design Procedure
      11. 9.2.11 ±50-mV External Trim
        1. 9.2.11.1 Detailed Design Procedure
      12. 9.2.12 250-mA Shunt Regulator
        1. 9.2.12.1 Design Requirements
        2. 9.2.12.2 Detailed Design Procedure
      13. 9.2.13 Voltage Detector
        1. 9.2.13.1 Detailed Design Procedure
      14. 9.2.14 Overvoltage Crowbar
        1. 9.2.14.1 Detailed Design Procedure
  10. 10Power Supply Recommendations
  11. 11Layout
    1. 11.1 Layout Guidelines
    2. 11.2 Layout Example
  12. 12デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 12.1 ドキュメントのサポート
      1. 12.1.1 関連資料
    2. 12.2 コミュニティ・リソース
    3. 12.3 商標
    4. 12.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 12.5 Glossary
  13. 13メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

12 デバイスおよびドキュメントのサポート

12.1 ドキュメントのサポート

12.1.1 関連資料

関連資料については、以下を参照してください。

  • AN-450 『表面実装手法と、その製品の信頼性への影響』、SNOA742
  • AN-1095 『SIMPLE SWITCHERを使用した絶縁型コンバータの設計』、SNVA005
  • AN-1305 『LM5030評価ボード』、SNVA078
  • 『LM5030 PWMプッシュ-プル・コントローラの汎用性』、SNVA548
  • 『LM2578A/LM3578Aスイッチング・レギュレータ』、SNVS767

12.2 コミュニティ・リソース

The following links connect to TI community resources. Linked contents are provided "AS IS" by the respective contributors. They do not constitute TI specifications and do not necessarily reflect TI's views; see TI's Terms of Use.

    TI E2E™ Online Community TI's Engineer-to-Engineer (E2E) Community. Created to foster collaboration among engineers. At e2e.ti.com, you can ask questions, share knowledge, explore ideas and help solve problems with fellow engineers.
    Design Support TI's Design Support Quickly find helpful E2E forums along with design support tools and contact information for technical support.

12.3 商標

E2E is a trademark of Texas Instruments.

All other trademarks are the property of their respective owners.

12.4 静電気放電に関する注意事項

esds-image

これらのデバイスは、限定的なESD（静電破壊）保護機能を内 蔵しています。保存時または取り扱い時は、MOSゲートに対す る静電破壊を防止するために、リード線同士をショートさせて おくか、デバイスを導電フォームに入れる必要があります。

12.5 Glossary

SLYZ022 — TI Glossary.

This glossary lists and explains terms, acronyms, and definitions.