デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
LM5112デバイスはMOSFETゲート・ドライバで、高いピーク・ゲート・ドライブ電流を供給し、小型の6ピンWSONパッケージ(SOT-23と同等の占有面積)または8ピンの露出パッド付きMSOPパッケージに搭載され、高い周波数での動作に必要な消費電力の改善が加えられています。複合出力ドライバのステージではMOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から7Aを超えるピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動が低減されます。低電圧誤動作防止保護が実装され、ゲートのターンオン電圧の不足によるMOSFETの損傷を防ぎます。LM5112デバイスには反転と非反転の両方の入力があり、単一のデバイス・タイプで反転と非反転のゲート・ドライブの要件を満たすことができます。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
---|---|---|
LM5112、 LM5112-Q1 |
WSON (6) | 3.00mm×3.00mm |
MSOP PowerPAD (8) | 3.00mm×3.00mm |
PIN | I/O | DESCRIPTION | |||
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NAME | WSON | MSOP | |||
Exposed Pad | — | — | — | Exposed pad, underside of package: Internally bonded to the die substrate. Connect to VEE ground pin for low thermal impedance. | |
IN | 1 | 4 | I | Non-inverting input pin: TTL compatible thresholds. Pull up to VCC when not used. | |
INB | 6 | 2 | I | Inverting input pin: TTL compatible thresholds. Connect to IN_REF when not used. | |
IN_REF | 5 | 1 | — | Ground reference for control inputs: Connect to power ground (VEE) for standard positive only output voltage swing. Connect to system logic ground when VEE is connected to a negative gate drive supply. | |
N/C | — | 5, 8 | — | Not internally connected | |
OUT | 4 | 7 | O | Gate drive output: Capable of sourcing 3 A and sinking 7 A. Voltage swing of this output is from VEE to VCC. | |
VCC | 3 | 6 | I | Positive supply voltage input: Locally decouple to VEE. The decoupling capacitor must be placed close to the chip. | |
VEE | 2 | 3 | — | Power ground for driver outputs: Connect to either power ground or a negative gate drive supply for positive or negative voltage swing. |