JAJSC47I June 2011 – October 2019 LM5113
PRODUCTION DATA.
LM5113デバイスは、同期降圧またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETを駆動できるように設計されています。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vで動作するハイサイドのエンハンスメント・モードGaN FETを駆動できます。ハイサイドのバイアス電圧は、ブートストラップ手法によって生成され、内部で5.2Vにクランプされています。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース間電圧定格を超えるのを防ぎます。LM5113の入力はTTLロジック互換であり、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LM5113には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を独立に調整できる柔軟性があります。
LMG1205は、LM5113の拡張版です。LMG1205はLM5113のデザインを基礎として、スタートアップ・ロジック、レベル・シフタ、電源オフVgsクランプの拡張により、さらに堅牢なソリューションを可能にします。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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LM5113 | WSON (10) | 4.00mm×4.00mm |
DSBGA (12) | 2.00mm×2.00mm |