LM5113

LM5113デバイスは、同期降圧またはハーフブリッジの構成で、ハイサイドとローサイドの両方のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN) FETを駆動できるように設計されています。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vで動作するハイサイドのエンハンスメント・モードGaN FETを駆動できます。ハイサイドのバイアス電圧は、ブートストラップ手法によって生成され、内部で5.2Vにクランプされています。これによって、ゲート電圧がエンハンスメント・モードGaN FETの最大ゲート-ソース間電圧定格を超えるのを防ぎます。LM5113の入力はTTLロジック互換であり、VDD電圧に関係なく最大14Vの入力電圧に耐えることができます。LM5113には分割ゲート出力があり、ターンオンとターンオフの強度を独立に調整できる柔軟性があります。

LMG1205は、LM5113の拡張版です。LMG1205はLM5113のデザインを基礎として、スタートアップ・ロジック、レベル・シフタ、電源オフVgsクランプの拡張により、さらに堅牢なソリューションを可能にします。

また、LM5113の強力なシンク能力によりゲートがLOW状態で維持され、スイッチング時に意図しないターンオンが防止されます。LM5113の最大動作周波数は数MHzです。LM5113は、標準のWSON-10ピン・パッケージおよび12バンプDSBGAパッケージで供給されます。WSON-10ピン・パッケージには、電力消費能力を高めるための露出したパッドが備えられています。DSBGAパッケージはコンパクトで占有面積が小さく、パッケージのインダクタンスが最小化されています。