JAJSGM8E December 2018 – August 2023 LM5155 , LM51551
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 代表値 | 最大値 | 単位 | |
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電源電流 | ||||||
ISHUTDOWN(BIAS) | BIAS シャットダウン電流 | VBIAS = 12V、VUVLO = 0V | 2.6 | 5 | μA | |
IOPERATING(BIAS) | BIAS 動作電流 | VBIAS = 12V、VUVLO = 2V、VFB = VREF、RT = 220kΩ | 480 | 540 | μA | |
VCC レギュレータ | ||||||
VVCC-REG | VCC レギュレーション | VBIAS = 8V、無負荷 | 6.5 | 6.85 | 7 | V |
VCC レギュレーション | VBIAS = 8V、IVCC = 35mA | 6.5 | V | |||
VVCC-UVLO(RISING) | VCC UVLO スレッショルド | VCC の立ち上がり | 2.75 | 2.85 | 2.95 | V |
VCC UVLO ヒステリシス | VCC の立ち下がり | 0.063 | V | |||
IVCC-CL | VCC のソース電流制限 | VBIAS = 10V、VVCC = 0V | 35 | 105 | mA | |
イネーブル | ||||||
VEN(RISING) | イネーブル・スレッショルド | EN の立ち上がり | 0.4 | 0.52 | 0.7 | V |
VEN(FALLING) | イネーブル・スレッショルド | EN の立ち下がり | 0.33 | 0.49 | 0.63 | V |
VEN(HYS) | イネーブル・ヒステリシス | EN の立ち下がり | 0.03 | V | ||
UVLO/SYNC | ||||||
VUVLO(RISING) | UVLO / SYNC スレッショルド | UVLO 立ち上がり | 1.425 | 1.5 | 1.575 | V |
VUVLO(FALLING) | UVLO / SYNC スレッショルド | UVLO 立ち下がり | 1.370 | 1.45 | 1.520 | V |
VUVLO(HYS) | UVLO / SYNC スレッショルドのヒステリシス | UVLO 立ち下がり | 0.05 | V | ||
IUVLO | UVLO ヒステリシス電流 | VUVLO = 1.6V | 4 | 5 | 6 | μA |
SS | ||||||
ISS | ソフトスタート電流 | 9 | 10 | 11 | μA | |
SS プルダウン・スイッチの RDSON | 55 | Ω | ||||
パルス幅変調 | ||||||
fsw1 | スイッチング周波数 | RT = 220kΩ | 85 | 100 | 115 | kHz |
fsw2 | スイッチング周波数 | RT = 9.09kΩ | 1980 | 2200 | 2420 | kHz |
tON(MIN) | 最小オン時間 | RT = 9.09kΩ | 50 | ns | ||
DMAX1 | 最大デューティ・サイクル制限 | RT = 9.09kΩ | 80% | 85% | 90% | |
DMAX2 | 最大デューティ・サイクル制限 | RT = 220kΩ | 90% | 93% | 96% | |
電流検出 | ||||||
ISLOPE | ピーク勾配補償電流 | RT = 220kΩ | 22.5 | 30 | 37.5 | μA |
VCLTH | 電流制限スレッショルド (CS-PGND) | 93 | 100 | 107 | mV | |
ヒカップ・モード保護 (LM51551) | ||||||
ヒカップ・イネーブル・サイクル | 64 | サイクル | ||||
ヒカップ・タイマ・リセット・サイクル | 8 | サイクル | ||||
エラー・アンプ | ||||||
VREF | FB リファレンス | LM5155、LM51551 | 0.99 | 1 | 1.01 | V |
Gm | 相互コンダクタンス | 2 | mA/V | |||
COMP ソース電流 | VCOMP = 1.2V | 180 | μA | |||
COMP クランプ電圧 | COMP 立ち上がり (VUVLO = 2.0V) | 2.5 | 2.8 | V | ||
COMP クランプ電圧 | COMP 立ち下がり | 1 | 1.1 | V | ||
OVP | ||||||
VOVTH | 過電圧スレッショルド | FB の立ち上がり (VREF を基準とする) | 107% | 110% | 113% | |
過電圧スレッショルド | FB の立ち下がり (VREF を基準とする) | 105% | ||||
PGOOD | ||||||
PGOOD プルダウン・スイッチの RDSON | 1mA のシンク | 90 | Ω | |||
VUVTH | 低電圧スレッショルド | FB の立ち下がり (VREF を基準とする) | 87% | 90% | 93% | |
低電圧スレッショルド | FB の立ち上がり (VREF を基準とする) | 95% | ||||
MOSFET ドライバ | ||||||
High 状態の電圧降下 | 100mA のシンク | 0.25 | V | |||
Low 状態の電圧降下 | 100mA のソース | 0.15 | V | |||
サーマル・シャットダウン | ||||||
TTSD | サーマル・シャットダウンのスレッショルド | 温度上昇 | 175 | ℃ | ||
サーマル・シャットダウンのヒステリシス | 15 | ℃ |