JAJSVY7 December   2024 LM74681

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特長
  3. アプリケーション
  4. 概要
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
    7. 5.7 Typical Characteristics
  7. Parameter Measurement Information
  8. Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Input and Output Voltage
      2. 7.3.2 Charge Pump
      3. 7.3.3 Gate Driver
      4. 7.3.4 Enable
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 Conduction Mode
        1. 7.4.1.1 Regulated Conduction Mode
        2. 7.4.1.2 Full Conduction Mode
      2. 7.4.2 Reverse Current Protection Mode
  9. Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Design Considerations
        2. 8.2.2.2 MOSFET Selection
        3. 8.2.2.3 Output capacitance
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Powered Device for IEEE 802.3bt Class 5-8 (45W-90W) Systems
    4. 8.4 Power Supply Recommendations
      1. 8.4.1 Transient Protection
    5. 8.5 Layout
      1. 8.5.1 Layout Guidelines
      2. 8.5.2 Layout Example
  10. Device and Documentation Support
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 Trademarks
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

概要

LM74681 は、MOSFET ブリッジを駆動できる 100V 理想ダイオード ブリッジ コントローラであり、PoE (Power over Ethernet) アプリケーションにおいて、効率的な低損失ブリッジ整流器ソリューションを実現できます。これにより、Power over Ethernet (PoE) 受電側機器 (PD) が、RJ-45 データペア、予備ペア、またはこれら 2 つの任意の組み合わせから、電圧極性に関係なく電力を受け取ることができます。内蔵チャージ ポンプにより N チャネル MOSFET の使用が可能です。N チャネルは、同じ電力レベルの P チャネル MOSFET よりも小型で、コスト効率が優れています。LM74681 および N チャネル MOSFET ブリッジは、従来のダイオード ブリッジを置き換えることができ、2 ペアおよび 4 ペアの PoE PD システムの実装に便利です。電源障害や短絡が発生した場合、高速ターンオフ機能により逆電流スパイクを低減させます。また、このデバイスは静止電流が 0.27µA と非常に低いので、PoE PD の検出および分類フェーズ中にデータの破損が発生しないことが保証されます。このデバイスは、-40℃~+125℃の接合部温度範囲で動作が規定されています。
パッケージ情報
部品番号 パッケージ (1) パッケージ サイズ(2)
LM74681 DRR (WSON、12) 3mm × 3mm
利用可能なすべてのパッケージについては、データシートの末尾にある注文情報を参照してください。
パッケージ サイズ (長さ × 幅) は公称値で、該当する場合はピンも含まれます。
LM74681 代表的なアプリケーション回路図代表的なアプリケーション回路図
LM74681 -48V DC 入力、Vin ランプでの起動-48V DC 入力、Vin ランプでの起動