JAJSMX2B
September 2021 – July 2022
LM74721-Q1
PRODUCTION DATA
1
特長
2
アプリケーション
3
概要
4
Revision History
5
Pin Configuration and Functions
6
Specifications
6.1
Absolute Maximum Ratings
6.2
ESD Ratings
6.3
Recommended Operating Conditions
6.4
Thermal Information
6.5
Electrical Characteristics
6.6
Switching Characteristics
6.7
Typical Characteristics
7
Parameter Measurement Information
8
Detailed Description
8.1
Overview
8.2
Functional Block Diagram
8.3
Feature Description
8.3.1
Reverse Battery Protection (A, C, GATE)
8.3.1.1
Input TVS Less Operation: VDS Clamp
8.3.2
Load Disconnect Switch Control (PD)
8.3.3
Overvoltage Protection and Battery Voltage Sensing (VSNS, SW, OV)
8.3.4
Boost Regulator
8.4
Shutdown Mode
9
Application and Implementation
9.1
Application Information
9.2
Typical 12-V Reverse Battery Protection Application
9.2.1
Design Requirements for 12-V Battery Protection
9.2.2
Detailed Design Procedure
9.2.2.1
Boost Converter Components (C2, C3, L1)
9.2.2.2
Input and Output Capacitance
9.2.2.3
Hold-Up Capacitance
9.2.2.4
MOSFET Selection: Q1
9.2.3
Application Curves
9.3
What to Do and What Not to Do
10
Power Supply Recommendations
10.1
Transient Protection
11
Layout
11.1
Layout Guidelines
11.2
Layout Example
12
Device and Documentation Support
12.1
Receiving Notification of Documentation Updates
12.2
サポート・リソース
12.3
Trademarks
12.4
Electrostatic Discharge Caution
12.5
Glossary
13
Mechanical, Packaging, and Orderable Information
パッケージ・オプション
デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。
メカニカル・データ(パッケージ|ピン)
DRR|12
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報
jajsmx2b_oa
1
特長
下記内容で AEC-Q100 認定済み
デバイス温度グレード 1:
–40℃~+125℃の動作時周囲温度範囲
デバイス HBM ESD 分類レベル 2
デバイス CDM ESD 分類レベル C4B
3V~65V の入力範囲
最低 -33V までの逆入力保護
入力 TVS なしで動作するための内蔵 VDS クランプにより ISO7637 パルス抑制
動作時の低い静止電流:35µA (最大値)
低いシャットダウン電流 (EN = LOW):3.3µA (最大値)
アノードからカソードへ 17mV の順方向電圧降下レギュレーションを行う理想ダイオード動作
外部のバック・ツー・バック N チャネル MOSFET を駆動
30mA の昇圧レギュレータを内蔵
逆電流阻止に対する高速応答:0.5μs
最大 100kHz のアクティブ整流
調整可能な過電圧保護機能
省スペースの 12 ピン WSON パッケージで供給
LM74720-Q1
とピン互換