JAJSME9A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 標準的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ・ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル・ゲート制御 (DGATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 短絡保護 (CS+、CS-、ISCP)
      4. 8.3.4 過電圧保護およびバッテリ電圧センシング (SW、OV、UVLO)
      5. 8.3.5 低 IQ SLEEP モード (SLEEP、SLEEP_OV)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 12V (代表値) バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ・ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力、電源、および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 過電圧保護とバッテリ監視
        6. 9.2.3.6 短絡電流スレッショルドの選択
          1. 9.2.3.6.1 短絡保護用のスケーリング抵抗 RSET と RISCP の選択
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ・システム用の TVS の選択
      3. 9.4.3 24V バッテリ・システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.2.2 車載バッテリ逆接続保護

LM74912-Q1 は、2 つの独立したゲート制御およびドライバ出力、DGATE および HGATE を備えており、逆並列 N チャネル MOSFET を駆動します。このため、LM74912-Q1 は ISO 7637-2 および ISO 16750-2 規格や他の車載 OEM 規格に準拠した各種車載過渡テストにおいて、堅牢なシステム保護とともに包括的な耐性を実現できます。詳細については、「車載用 EMC 準拠、理想ダイオード・コントローラによる逆バッテリ保護」の記事を参照してください。

LM74912-Q1 のゲート駆動出力 DGATE は MOSFET Q1 を制御し、逆バッテリ保護と真の逆電流ブロック機能を実現します。HGATE は、入力過電圧状態時に電力パスをオフにするように MOSFET Q2 を制御します。OV と SW に接続された抵抗ネットワーク R1、R2、R3 を構成して、過電圧保護を実現できます。また、通常の動作条件とバッテリ逆接続条件でのバッテリ監視も実現できます。双方向 TVS D1 は、12V バッテリの車載用過渡入力電圧を、正と負の両方の過渡電圧として、MOSFET Q1 および LM74912-Q1 にとって安全な電圧レベルにクランプします。

LM74912-Q1 は、高速な逆電流ブロック応答と迅速な逆回復により、ISO 16750-2 と LV124 E-06 で規定されている AC 重畳入力時に MOSFET Q1 をオン / オフし、AC 入力を DC バッテリ電圧に重畳してアクティブ整流できます。LM74912-Q1 の高速な逆電流ブロック応答により、ISO 7637-2 で規定されている -150V 2ms パルス 1 などの負の過渡入力や、LV124 E-10 テストなどの入力マイクロ短絡状態時に MOSFET Q1 をオフにできます。