JAJSME9A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 標準的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ・ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル・ゲート制御 (DGATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 短絡保護 (CS+、CS-、ISCP)
      4. 8.3.4 過電圧保護およびバッテリ電圧センシング (SW、OV、UVLO)
      5. 8.3.5 低 IQ SLEEP モード (SLEEP、SLEEP_OV)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 12V (代表値) バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ・ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力、電源、および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 過電圧保護とバッテリ監視
        6. 9.2.3.6 短絡電流スレッショルドの選択
          1. 9.2.3.6.1 短絡保護用のスケーリング抵抗 RSET と RISCP の選択
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ・システム用の TVS の選択
      3. 9.4.3 24V バッテリ・システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.1 概要

LM74912-Q1 理想ダイオード・コントローラは、逆並列外部 N チャネル MOSFET を駆動し、短絡、低電圧、過電圧保護機能により、低損失の電力パス保護を実現します。

入力電源電圧範囲が 3V～65V と広いため、12V および 24V 車載用バッテリ駆動 ECU を保護および制御できます。このデバイスは最低 –65V の負の電源電圧に耐え、この電圧から負荷を保護できます。内蔵の理想ダイオード・コントローラ (DGATE) は第 1 の MOSFET を駆動し、逆入力保護および出力電圧保持用のショットキー・ダイオードを置き換えます。電力パスの第 2 の MOSFET により、HGATE 制御を使用した負荷の切断 (オン / オフ制御) と過電圧保護が可能です。このデバイスには可変過電圧カットオフ保護機能があります。共通ドレイン構成のパワー MOSFET の場合、もう 1 つの理想ダイオードを使用した OR 接続設計のために中間点を利用できます。LM74912-Q1 の最高電圧定格は 65V です。

電流検出アンプを内蔵しており、外部 MOSFET (Q2) VDS 電圧を監視して短絡保護を実現します。このデバイスにはデフォルトの短絡コンパレータのスレッショルドが 50mV であり、外付け部品 (RISCP および RSET) を使用してこのスレッショルドをシフトする徹底的な柔軟性があります。いったん短絡状態が検出されると、EN、SLEEP、または VS ピンが Low から High に切り替わるまで、デバイスは MOSFET Q2 をラッチ・オフします。

このデバイスは可変過電圧および低電圧保護機能を備えており、電圧過渡事象が発生した場合に堅牢な負荷切断を行うことができます。

LM74912-Q1 には、EN および SLEEP ピンのステータスに基づいて 2 種類の低消費電力モードがあります。SLEEP モード (SLEEP=Low、 EN=High) では、デバイスは外部 MOSFET ゲート・ドライブと内部チャージ・ポンプの両方をオフにすることでわずか 5.5μA の電流しか消費しませんが、同時に内部バイパス・パスを備えているため、電流容量が制限されている状態で常時オンの負荷に電力を供給できます。イネーブル・ピンが Low のとき、デバイスは負荷を完全に切断して超低消費電力モードに移行し、消費電流は標準値 2.5μA です。LM74912-Q1 は電圧定格が高いため、車載用 ISO7637 保護のシステム設計が簡単になります。LM74912-Q1 は OR 接続アプリケーションにも適しています。