JAJSME9A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 標準的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ・ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル・ゲート制御 (DGATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 短絡保護 (CS+、CS-、ISCP)
      4. 8.3.4 過電圧保護およびバッテリ電圧センシング (SW、OV、UVLO)
      5. 8.3.5 低 IQ SLEEP モード (SLEEP、SLEEP_OV)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 12V (代表値) バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ・ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力、電源、および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 過電圧保護とバッテリ監視
        6. 9.2.3.6 短絡電流スレッショルドの選択
          1. 9.2.3.6.1 短絡保護用のスケーリング抵抗 RSET と RISCP の選択
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ・システム用の TVS の選択
      3. 9.4.3 24V バッテリ・システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.1 アプリケーション情報

LM74912-Q1 は 2 つの N チャネル・パワー MOSFET を制御し、DGATE を使用してダイオード MOSFET を制御して理想ダイオードをエミュレートします。また、HGATE を使用して 2 番目の MOSFET を制御し、ディセーブル時や過電流、過電圧、低電圧イベント時に電力パスをカットオフします。HGATE 制御の MOSFET を使用して、過電圧または負荷ダンプ状態で出力をクランプできます。LM74912-Q1 は、EN または SLEEP を使用して低静止電流モードに移行でき、ここで DGATE と HGATE の両方がオフになります。このデバイスには、独立した電源入力ピン (VS) があります。チャージ・ポンプは、この電源入力から生成されます。独立した電源入力供給と独立した GATE 制御アーキテクチャにより、LM74912-Q1 デバイスはコモン・ドレイン・トポロジで逆並列接続された MOSFET を駆動するため、電源 OR 接続や電源優先マルチプレクサ・アプリケーションなど、さまざまなシステム・アーキテクチャが可能になります。これらのさまざまなトポロジを使用することで、システム設計者はさまざまなシステム設計要件を満たすフロント・エンド電源システムを設計できます。

このデバイスには、独立した電源入力ピン (VS) があります。チャージ・ポンプは、この電源入力から生成されます。独立した電源入力供給と独立した GATE 制御アーキテクチャにより、LM74912-Q1 デバイスはコモン・ドレイン・トポロジで逆並列接続された MOSFET を駆動するため、電源 OR 接続や電源優先マルチプレクサ・アプリケーションなど、さまざまなシステム・アーキテクチャが可能になります。これらのさまざまなトポロジを使用することで、システム設計者はさまざまなシステム設計要件を満たすフロント・エンド電源システムを設計できます。