JAJSME9A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 標準的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ・ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル・ゲート制御 (DGATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 短絡保護 (CS+、CS-、ISCP)
      4. 8.3.4 過電圧保護およびバッテリ電圧センシング (SW、OV、UVLO)
      5. 8.3.5 低 IQ SLEEP モード (SLEEP、SLEEP_OV)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 12V (代表値) バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ・ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力、電源、および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 過電圧保護とバッテリ監視
        6. 9.2.3.6 短絡電流スレッショルドの選択
          1. 9.2.3.6.1 短絡保護用のスケーリング抵抗 RSET と RISCP の選択
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ・システム用の TVS の選択
      3. 9.4.3 24V バッテリ・システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

5 ピン構成および機能

GUID-20220418-SS0I-TRBW-DDVW-HR0CSFDS8JV7-low.svg図 5-1 RGE パッケージ、24 ピン VQFN(透過上面図)
表 5-1 ピンの機能
ピン種類 (1)概要
名称番号
DGATE1Oダイオード・コントローラのゲート・ドライブ出力。外部 MOSFET の GATE に接続します。
A2I理想ダイオードのアノード。外部 MOSFET のソースに接続します。
SW3I電圧センシング接続解除スイッチ端子。A と SW はスイッチを介して内部接続されています。SW をバッテリ・センシングまたは OV 抵抗ラダー・ネットワークの上側接続として使用します。EN / SLEEP が Low になると、スイッチがオフになり、バッテリ・ラインからの抵抗ラダーの接続が切断され、リーク電流が遮断されます。A と SW の間の内部接続解除スイッチを使用しない場合は、SW ピンをフローティングのままにするか、A にプルします。
UVLO4I可変低電圧スレッショルド入力。SW から GND への UVLO 端子間の抵抗ラダーを接続します。UVLO の電圧が低電圧カットオフ・スレッショルドを下回ると、HGATE が Low になり、HSFET をオフにします。センス電圧が UVLO 立ち下がりスレッショルドを上回ると、HGATE がオンになります。
OV5I可変過電圧スレッショルド入力。SW から OV 端子間に抵抗ラダーを接続します。OV の電圧が過電圧カットオフ・スレッショルドを超えると、HGATE が Low になり、HSFET がオフになります。センス電圧が OV 立ち下がりスレッショルドを下回ると、HGATE がオンになります。
EN6IEN 入力。常時オン動作の場合は VS ピンに接続します。マイコン I/O から、外部から駆動できます。このピンを V(ENF) 未満にプルすると、デバイスは低 IQ シャットダウン・モードに移行します。
SLEEP7Iアクティブ Low の SLEEP モード入力。マイコンから駆動できます。Low にプルされると、デバイスは低消費電力状態に移行し、チャージ・ポンプとゲート・ドライブがオフになります。内部バイパス・スイッチにより出力電圧が供給され、電流容量は制限されます。使用されていない場合は、EN または VS に接続する必要があります。
N.C.8—接続なし。このピンはフローティングのままにします。
N.C.9—接続なし。このピンはフローティングのままにします。
N.C.10—接続なし。このピンはフローティングのままにします。
N.C.11—接続なし。このピンはフローティングのままにします。
FLT12Oオープン・ドレイン・フォルト出力。低電圧、過電圧、または出力短絡イベントの場合、FLT ピンは Low にプルされます。
GND13Gシステム・グランド・プレーンに接続します。
HGATE14OHSFET の GATE ドライバ出力。外部 FET の GATE に接続します。
OUT15I出力レール (外部 MOSFET ソース) に接続します。
SLEEP_OV16ISLEEP モード過電圧保護ピン。過電圧カットオフ機能の場合、このピンを Vs に接続します。過電圧クランプ機能の場合、OUT に接続します。
N.C.17—接続なし。このピンはフローティングのままにします。
ISCP18I

可変短絡保護の電流検出の負入力。ISCP が出力に接続されると、デバイスは内部固定スレッショルドの標準値 50mV に対して CS+ ピンと ISCP ピン間の外部 HFET の電圧降下を監視します。

CS–19I電流検出アンプ電源入力。
CS+20I可変短絡保護の電流検出の正入力。
N.C.21—接続なし。このピンはフローティングのままにします。
VS22PIC の入力電源。VS を共通ドレインの逆並列 MOSFET 構成の中間点に接続します。VS ピンと GND ピンとの間に 100nF のコンデンサを接続します。
CAP23Oチャージ・ポンプの出力。CAP と VS ピンとの間に 100nF のコンデンサを接続します。
C24I理想ダイオードのカソード。外部 MOSFET のドレインに接続します。
RTN放熱パッド—露出したパッドはフローティングにします。GND プレーンには接続しないでください。
(1) I：入力、O：出力、I/O：入力または出力、P：電源、Ｇ = グランド