JAJSME9A July   2023  – September 2023 LM74912-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 スイッチング特性
    7. 6.7 標準的特性
  8. 7 パラメータ測定情報
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 チャージ・ポンプ
      2. 8.3.2 デュアル・ゲート制御 (DGATE、HGATE)
        1. 8.3.2.1 バッテリ逆接続保護 (A、C、DGATE)
        2. 8.3.2.2 負荷切断スイッチ制御 (HGATE、OUT)
      3. 8.3.3 短絡保護 (CS+、CS-、ISCP)
      4. 8.3.4 過電圧保護およびバッテリ電圧センシング (SW、OV、UVLO)
      5. 8.3.5 低 IQ SLEEP モード (SLEEP、SLEEP_OV)
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 12V (代表値) バッテリ逆接続保護アプリケーション
      1. 9.2.1 12V バッテリ保護の設計要件
      2. 9.2.2 車載バッテリ逆接続保護
        1. 9.2.2.1 入力過渡保護：ISO 7637-2 パルス 1
        2. 9.2.2.2 AC 重畳入力の整流：ISO 16750-2 および LV124 E-06
        3. 9.2.2.3 入力マイクロ短路保護：LV124 E-10
      3. 9.2.3 詳細な設計手順
        1. 9.2.3.1 設計上の考慮事項
        2. 9.2.3.2 チャージ・ポンプ容量 VCAP
        3. 9.2.3.3 入力、電源、および出力容量
        4. 9.2.3.4 ホールドアップ容量
        5. 9.2.3.5 過電圧保護とバッテリ監視
        6. 9.2.3.6 短絡電流スレッショルドの選択
          1. 9.2.3.6.1 短絡保護用のスケーリング抵抗 RSET と RISCP の選択
      4. 9.2.4 MOSFET の選択：ブロッキング MOSFET Q1
      5. 9.2.5 MOSFET の選択：ホットスワップ MOSFET Q2
      6. 9.2.6 TVS の選択
      7. 9.2.7 アプリケーション曲線
    3. 9.3 設計のベスト・プラクティス
    4. 9.4 電源に関する推奨事項
      1. 9.4.1 過渡保護
      2. 9.4.2 12V バッテリ・システム用の TVS の選択
      3. 9.4.3 24V バッテリ・システム用の TVS の選択
    5. 9.5 レイアウト
      1. 9.5.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.5.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 10.2 サポート・リソース
    3. 10.3 商標
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

6.5 電気的特性

TJ = –40℃～+125℃、TJ = 25℃、V(A) = V(OUT) = V(VS) = 12V、C(CAP) = 0.1μF、V(EN)、V(SLEEP)= 2V の標準値、自由気流での動作温度範囲内 (特に記述のない限り)
パラメータ テスト条件 最小値 代表値 最大値 単位
電源電圧
V(VS) 動作時入力電圧 3 65 V
V(VS_PORR) VS POR スレッショルド、立ち上がり 2.4 2.65 2.9 V
V(VS_PORF) VS POR スレッショルド、立ち下がり 2.2 2.45 2.7 V
I(SHDN) SHDN 電流、I(GND) V(EN) = 0V 2.5 5 μA
I(SLEEP) SLEEP モード電流、I(GND) V(EN) = 2V、V(SLEEP) = 0V 5.5 10 μA
I(Q) システム全体の静止電流、I(GND) V(EN) = 2V 610 730 μA
V(A) = V(VS) = 24V、V(EN) = 2V 615 735 μA
I(REV) 逆極性時の I(A) リーク電流 0V ≦ V(A) ≦ – 65V –100 –35 μA
逆極性時の I(OUT) リーク電流 –1 –0.3 μA
イネーブル
V(ENR) 低 IQ シャットダウンのイネーブル・スレッショルド電圧、立ち上がり 0.8 1.05 V
V(ENF) 低 IQ シャットダウンのイネーブル立ち下がりスレッショルド電圧 0.41 0.7 V
I(EN) V(EN) = 65V 55 200 nA
低電圧誤動作防止コンパレータ
V(UVLOR) UVLO スレッショルド電圧、立ち上がり 0.585 0.6 0.63 V
V(UVLOF) UVLO スレッショルド電圧、立ち下がり 0.533 0.55 0.573 V
I(UVLO) UVLO ピンのリーク電流 0V ≦ V(UVLO) ≦ 5V 52 200 nA
SLEEP モード
V(SLEEPR) 低 IQ モードの SLEEP スレッショルド電圧 0.8 1.05 V
V(SLEEPF) 低 IQ シャットダウンの SLEEP スレッショルド電圧、立ち下がり 0.41 0.7 V
I(SLEEP) SLEEP 入力リーク電流 0V ≦ V(SLEEP) ≦ 12V 100 160 nA
過電流スレッショルド SLEEP モード過電流スレッショルド 150 250 310 mA
過電圧スレッショルド 過電圧コンパレータの立ち上がりスレッショルド 19.3 21.5 23 V
過電圧コンパレータの立ち下がりスレッショルド 18.4 21.04 22.2 V
FET 抵抗 SLEEP モード・バイパス FET 抵抗 4.5 7.5 11.5 Ω
TSD SLEEP モード時のサーマル・シャットダウン立ち上がりスレッショルド 155 ℃
過電圧保護およびバッテリ・センシング入力
R(SW) バッテリ・センシング接続解除スイッチの抵抗 3V ≦ V(SNS) ≦ 65V 10 22 46 Ω
V(OVR) 過電圧スレッショルド入力、立ち上がり 0.585 0.6 0.63 V
V(OVF) 過電圧スレッショルド入力、立ち下がり 0.533 0.55 0.573 V
I(OV) OV ピン入力リーク電流 0V ≦ V(OV) ≦ 5V 52 200 nA
電流検出アンプ
ICS+ CS+ ピン・シンク電流 10 11 11.85 μA
ISCP ISCP ピンのバイアス電流 10 11 11.85 μA
V(SNS_SCP) 短絡保護スレッショルド RISCP = RSET = 0Ω 47.3 50 53.4 mV
RSET = 1kΩ、RISCP = 0Ω 61 mV
RISCP = 1kΩ、RSET = 0Ω 39 mV
フォルト
R_FLT FLT プルダウン抵抗 11 25 60 Ω
I_FLT FLT ピンのリーク電流 -100 400 nA
チャージ・ポンプ
I(CAP) チャージ・ポンプのソース電流  V(CAP) – V(A) = 7V、6V ≦ V(S) ≦ 65V  2.5 4 mA
VCAP – VS チャージ・ポンプのターンオン電圧 11 12.2 13.2 V
チャージ・ポンプのターンオフ電圧 11.9 13.2 14.1 V
V(CAP UVLO) チャージ・ポンプ UVLO 電圧スレッショルド、立ち上がり 5.4 6.6 7.9 V
チャージ・ポンプ UVLO 電圧スレッショルド、立ち下がり 4.4 5.4 6.6 V
理想ダイオードの MOSFET 制御
V(A_PORR) V(A) POR スレッショルド、立ち上がり 2.2 2.4 2.7 V
V(A_PORF) V(A) POR スレッショルド、立ち下がり 2 2.2 2.45 V
V(AC_REG) レギュレートされた順方向 V(A) – V(C) スレッショルド 3.6 10.5 13.4 mV
V(AC_REV) 高速逆電流ブロックの V(A) – V(C) スレッショルド –16 –10.5 –5 mV
V(AC_FWD) 逆方向から順方向への遷移時の V(A) – V(C) スレッショルド 150 177 200 mV
V(DGATE) – V(A) ゲート駆動電圧 3V < V(S) < 5V 7 V
5V < V(S) < 65V 9.2 11.5 14 V
I(DGATE) ピーク・ゲート・ソース電流 V(A) – V(C) = 300mV、V(DGATE) – V(A) = 1V 20 mA
ピーク・ゲート・シンク電流 V(A) – V(C) = -12mV、V(DGATE) – V(A) = 11V 2670 mA
レギュレーション・シンク電流 V(A) – V(C) = 0V、V(DGATE) – V(A) = 11V 6 15 μA
I(C) カソード・リーク電流 V(A) = –14V、V(C) = 12V 4 9 32 μA
ハイサイド MOSFET 制御
V(HGATE) – V(OUT) ゲート駆動電圧 3V < V(S) < 5V 7 V
5V < V(S) < 65V 10 11.1 14 V
I(HGATE) ソース電流 39 55 75 μA
シンク電流 128 180 mA
V(HGATE –OUT)_SCP 短絡保護イネーブルの HGATE-OUT スレッショルド 6.4 V