JAJSIG5C May   2019  – December 2024 LMG1025-Q1

PRODUCTION DATA  

1.   1
2. 1 特長
3. 2 アプリケーション
4. 3 概要
5. 4 Pin Configuration and Functions
6. 5 Specifications
   1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
   2. 5.2 ESD Ratings
   3. 5.3 Recommended Operating Conditions
   4. 5.4 Thermal Information
   5. 5.5 Electrical Characteristics
   6. 5.6 Switching Characteristics
   7. 5.7 Typical Characteristics
7. 6 Detailed Description
   1. 6.1 Overview
   2. 6.2 Functional Block Diagram
   3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Input Stage
      2. 6.3.2 Output Stage
      3. 6.3.3 Bias Supply and Under Voltage Lockout
      4. 6.3.4 Overtemperature Protection (OTP)
   4. 6.4 Device Functional Modes
8. 7 Application and Implementation
   1. 7.1 Application Information
   2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
         1. 7.2.2.1 Handling Ground Bounce
         2. 7.2.2.2 Creating Nanosecond Pulse
         3. 7.2.2.3 VDD and Overshoot
         4. 7.2.2.4 Operating at Higher Frequency
      3. 7.2.3 Application Curves
9. 8 Power Supply Recommendations
10. 9 Layout
    1. 9.1 Layout Guidelines
       1. 9.1.1 Gate Drive Loop Inductance and Ground Connection
       2. 9.1.2 Bypass Capacitor
    2. 9.2 Layout Example
11. 10Device and Documentation Support
    1. 10.1 Device Support
       1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 10.5 Trademarks
    6. 10.6 用語集
12. 11Revision History
13. 12Mechanical, Packaging, and Orderable Information

LMG1025-Q1 高周波および狭パルス アプリケーション向け車載ローサイド GaN および MOSFET ドライバ

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

最新の英語版をダウンロード