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LMG1025-Q1

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車載対応、パルス幅の狭いアプリケーション向け、5V UVLO 搭載、7A/5A、シングルチャネル・ローサイド・ゲート・ドライバ

製品詳細

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features 1.25-ns Pulse Width Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.65 Fall time (ns) 0.85 Propagation delay time (µs) 0.0029 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic TTL Input negative voltage (V) 0 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4.19 Driver configuration Dual inputs
WSON (DEE) 6 4 mm² 2 x 2
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage
  • AEC-Q100 grade 1 qualified
  • 1.25ns typical minimum input pulse width
  • 2.6ns typical rising propagation delay
  • 2.9ns typical falling propagation delay
  • 300ps typical pulse distortion
  • Independent 7A pull-up and 5A pull-down current
  • 650ps typical rise time (220pF load)
  • 850ps typical fall time (220pF load)
  • 2mm x 2mm QFN package
  • Inverting and non-inverting inputs
  • UVLO and over-temperature protection
  • Single 5V supply voltage

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

The LMG1025-Q1 is a single channel low-side enhancement-mode GaN FET and logic-level MOSFET driver for high switching frequency automotive applications. Narrow pulse width capability, fast switching specification, and small pulse distortion combine to significantly enhance LiDAR, ToF, and Power Converter performance. 1.25ns output pulse width enables more powerful, eye-safe diode pulses. This, combined with 300ns distortion, leads to longer-range, precise LiDAR/ToF systems. 2.9ns propagation delay significantly improves the control loop response time and thus overall performance of the power converters. Split output allows the drive strength and timing to be independently adjusted through external resistors between OUTH, OUTL, and the FET gate.

The driver features undervoltage lockout (UVLO) and over-temperature protection (OTP) to ensure the device is not damaged in overload or fault conditions. LMG1025-Q1 is available in a compact, leadless, AEC-Q100 automotive qualified package to meet the size and gate loop inductance requirements of high switching frequency automotive applications.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG1025-Q1 Automotive Low Side GaN and MOSFET Driver For High Frequency and Narrow Pulse Applications データシート (Rev. C) PDF | HTML 2024年 12月 6日
アプリケーション・ノート Review of Different Power Factor Correction (PFC) Topologies' Gate Driver Needs PDF | HTML 2024年 1月 22日
アプリケーション・ノート Using a Single-Output Gate-Driver for High-Side or Low-Side Drive (Rev. B) PDF | HTML 2023年 9月 8日
アプリケーション概要 GaN Applications PDF | HTML 2022年 8月 10日
アプリケーション概要 GaN Driver Schematic and Layout Recommendations PDF | HTML 2022年 8月 10日
アプリケーション概要 Key Parameters and Driving Requirements of GaN FETs PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション概要 Nomenclature, Types, and Structure of GaN Transistors PDF | HTML 2022年 8月 4日
アプリケーション概要 How GaN Enables More Efficient and Reduced Form Factor Power Supplies PDF | HTML 2022年 8月 2日
機能安全情報 LMG1025-Q1 FIT, FMD, and Pin FMA PDF | HTML 2022年 6月 24日
アプリケーション・ノート Benefits of a Compact, Powerful, and Robust Low-Side Gate Driver PDF | HTML 2021年 11月 10日
証明書 LMG1025-Q1EVM EU Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2020年 9月 16日
EVM ユーザー ガイド (英語) LMG1025-Q1 EVM User's Guide (Rev. B) 2020年 5月 8日
アプリケーション概要 External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション概要 Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 2020年 2月 28日
アプリケーション・ノート GaN Gate Driver Layout Help 2019年 5月 23日
アプリケーション概要 How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019年 1月 18日
アプリケーション概要 Enable Function with Unused Differential Input 2018年 7月 11日
アプリケーション概要 Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 2018年 3月 16日
ホワイト・ペーパー A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015年 3月 2日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG1020EVM-006 — LMG1020 GaN ローサイド・ドライバ + GaN FET LiDAR の評価モジュール

The LMG1020EVM-006 is a small, easy-to-use power stage for LIDAR laser drive. The EVM includes an integrated resistive load, (laser not included) and takes a short-pulse input that can either be buffered (and shortened further), or passed directly to the power stage. The board can demonstrate (...)
ユーザー ガイド: PDF
評価ボード

LMG1025-Q1EVM — LMG1025-Q1 GaN low-side driver and GaN FET LiDAR evaluation module

The LMG1025-Q1EVM is a small, easy-to-use power stage with integrated resistive load (laser not included). It takes a short-pulse input that can either be buffered (and shortened further), or passed directly to the power stage.
ユーザー ガイド: PDF
シミュレーション・モデル

LMG1020 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice Model
シミュレーション・モデル

LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM620A.ZIP (43 KB) - TINA-TI Spice Model
計算ツール

SLURB15 LMG1025-Q1 Schematic Review Template

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
ローサイド・ドライバ
LMG1025-Q1 車載対応、パルス幅の狭いアプリケーション向け、5V UVLO 搭載、7A/5A、シングルチャネル・ローサイド・ゲート・ドライバ
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リファレンス・デザイン

TIDA-01573 — LiDAR 向けナノ秒レーザー・ドライバのリファレンス・デザイン

LiDAR (Light Distancing And Ranging、光を使用した検出と距離測定) を採用したこのリファレンス・デザインは、パルス幅の狭いアプリケーションで LMG1020 と LMG1025-Q1 の各ローサイド・ゲート・ドライバを使用する方法を紹介します。これらのデバイスは単一の FET を駆動し、100W 以上の出力で、パルス幅が 1.5ns 未満のレーザー光学パルスを生成することができます。
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WSON (DEE) 6 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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