JAJSRX4 May   2024 LMG2650

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Switching Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
    1. 6.1 GaN Power FET Switching Parameters
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1  GaN Power FET Switching Capability
      2. 7.3.2  Turn-On Slew-Rate Control
      3. 7.3.3  Current-Sense Emulation
      4. 7.3.4  Bootstrap Diode Function
      5. 7.3.5  Input Control Pins (EN, INL, INH, GDH)
      6. 7.3.6  INL - INH Interlock
      7. 7.3.7  AUX Supply Pin
        1. 7.3.7.1 AUX Power-On Reset
        2. 7.3.7.2 AUX Under-Voltage Lockout (UVLO)
      8. 7.3.8  BST Supply Pin
        1. 7.3.8.1 BST Power-On Reset
        2. 7.3.8.2 BST Under-Voltage Lockout (UVLO)
      9. 7.3.9  Overcurrent Protection
      10. 7.3.10 Overtemperature Protection
      11. 7.3.11 Fault Reporting
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Device and Documentation Support
    1. 8.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 8.2 サポート・リソース
    3. 8.3 Trademarks
    4. 8.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 8.5 用語集
  10. 9 Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • RFB|19
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.4 静電気放電に関する注意事項

LMG2650 この IC は、ESD によって破損する可能性があります。テキサス・インスツルメンツは、IC を取り扱う際には常に適切な注意を払うことを推奨します。正しい取り扱いおよび設置手順に従わない場合、デバイスを破損するおそれがあります。
ESD による破損は、わずかな性能低下からデバイスの完全な故障まで多岐にわたります。精密な IC の場合、パラメータがわずかに変化するだけで公表されている仕様から外れる可能性があるため、破損が発生しやすくなっています。