DATA SHEET
LMG341xR050 過電流保護機能搭載、600V、50mΩ 統合型 GaN 出力段
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
- 高密度の電力変換設計が可能
- カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
- 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
- スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
- デジタルのフォルト・ステータス出力信号
- +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
- 統合型ゲート・ドライバ
- 共通ソース・インダクタンスが 0
- 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
- ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
- スルー・レートを 25~100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
- 堅牢な保護
- 外付けの保護部品が不要
- 応答時間 100ns 未満の過電流保護
- 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
- 過渡過電圧耐性
- 過熱保護
- すべての電源レールの UVLO 保護
- 堅牢な保護
- LMG3410R050:ラッチ付き過電流保護
- LMG3411R050:サイクル単位の過電流保護