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窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3411R050

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ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN

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製品詳細

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
  • 統合型ゲート・ドライバ
    • 共通ソース・インダクタンスが 0
    • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを 25～100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
    • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールの UVLO 保護
  • 堅牢な保護
    • LMG3410R050：ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R050：サイクル単位の過電流保護
    • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
    • 高密度の電力変換設計が可能
      • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
      • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
      • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
      • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
      • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
    • 統合型ゲート・ドライバ
      • 共通ソース・インダクタンスが 0
      • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
      • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
      • スルー・レートを 25～100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
    • 堅牢な保護
      • 外付けの保護部品が不要
      • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
      • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
      • 過渡過電圧耐性
      • 過熱保護
      • すべての電源レールの UVLO 保護
    • 堅牢な保護
      • LMG3410R050：ラッチ付き過電流保護
      • LMG3411R050：サイクル単位の過電流保護

      ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR050 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

      LMG341xR050 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

      ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR050 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

      LMG341xR050 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。
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      技術資料

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      EVM ユーザー ガイド (英語) Using the LMG341xEVM-018 Half-bridge and LMG34XX-BB--EVM breakout board EVM (Rev. A) 2019年 3月 8日
      アプリケーション・ノート Third quadrant operation of GaN 2019年 2月 25日

      設計および開発

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      評価ボード

      LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード

      LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

      (...)

      ユーザー ガイド: PDF
      TI.com で取り扱いなし
      ドーター・カード

      LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

      LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価基板は、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。 この評価基板は適切な熱管理（強制空冷、低周波動作など）を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価基板は、オープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。
      (...)
      ユーザー ガイド: PDF
      TI.com で取り扱いなし
      ドーター・カード

      LMG3411EVM-018 — LMG3411R050 サイクルごとの過電流保護機能搭載の 600V 50mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

      LMG3411EVM-018 configures two LMG3411R050 GaN FETs in a half bridge with cycle by cycle over current protection function and all the necessary auxiliary peripheral circuitry.  This EVM is designed to work in conjunction with larger systems.
      ユーザー ガイド: PDF
      TI.com で取り扱いなし
      計算ツール

      LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

      Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      窒化ガリウム (GaN) 電力段
      LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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      計算ツール

      SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      窒化ガリウム (GaN) 電力段
      LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
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      計算ツール

      SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      サポート対象の製品とハードウェア

      サポート対象の製品とハードウェア

      製品
      窒化ガリウム (GaN) 電力段
      LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
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      リファレンス・デザイン

      PMP20873 — 効率 99% の 1kW GaN ベース CCM トーテムポール力率補正（PFC）コンバータのリファレンス・デザイン

      連続導通モード（CCM）トーテムポール力率補正（PFC）は、シンプルで高効率なパワー・コンバータを実現します。99% の効率を実現するためには、さまざまな設計上の詳細を考慮する必要があります。PMP20873 リファレンス・デザインでは、TI の 600VGaN 出力段、LMG3410、TI の UCD3138 デジタル・コントローラを使用します。設計概要で、CCM トーテムポール・トポロジ動作の詳細、回路設計の詳細な考慮事項、磁気素子およびファームウェア制御設計上の考慮事項を説明します。このコンバータは 100KHz で動作します。AC (...)
      試験報告書: PDF
      回路図: PDF
      リファレンス・デザイン

      TIDA-010059 — In-phase current-sense reference design for 230-VAC motor drives using hall-effect current sensors

      このリファレンス・デザインは、ホール・エフェクト電流センサ TMCS1100 を採用しています。このセンサは、–40 ～ 125℃ の温度範囲にわたって 1% 未満の絶対誤差で電流を測定でき、最大 600V の動作絶縁電圧を実現しています。低抵抗の電流センシング素子をパッケージ内に実装し、ハイサイド電源を不要にした結果、モーターのトルク、速度、または位置に関する高精度の制御を実施する、小型で効率的な電流センシング・ソリューションを実現できます。インバータのパワー・ステージは 600V の LMG3411 GaN (窒化ガリウム) (...)
      設計ガイド: PDF
      回路図: PDF
      リファレンス・デザイン

      PMP21309 — HV GaN FET 搭載、24V/500W 共振コンバータのリファレンス・デザイン

      This reference design is a high-frequency resonant converter reference design. The output voltage is regulated to 24 V with input voltage ranges from 380 V to 400 V using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A 97.9% peak efficiency is achieved with this design using TI’s (...)
      試験報告書: PDF
      回路図: PDF
      リファレンス・デザイン

      PMP21842 — HV GaN FET 搭載、12V/500W 共振コンバータのリファレンス デザイン

      高周波共振コンバータを提示するこのリファレンス デザインは、共振周波数が 500kHz である共振タンクを使用して、380V ～ 400V の入力電圧範囲から 12V の安定化出力を供給します。このデザインは、TI の高電圧 GaN デバイスを UCD3138A や UCD7138 と組み合わせて使用し、デッドタイムと同期整流器 (SR) 導通を最適化して、(バイアス電源を含め) 96.0% のピーク効率を達成します。
      試験報告書: PDF
      回路図: PDF
      パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
      TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

      購入と品質

      記載されている情報：
      • RoHS
      • REACH
      • デバイスのマーキング
      • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
      • MSL 定格 / ピーク リフロー
      • MTBF/FIT 推定値
      • 使用原材料
      • 認定試験結果
      • 継続的な信頼性モニタ試験結果
      記載されている情報：
      • ファブの拠点
      • 組み立てを実施した拠点

      サポートとトレーニング

      TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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