LMG3410-HB-EVM

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG34XX ハーフ・ブリッジ・ボードを非同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。 この評価基板は、出力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。 この評価基板は適切な熱管理（強制空冷、低周波動作など）を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。 この評価基板は、オープン・ループ・ボードであるため、過渡測定に適していません。

相補型パルス幅変調信号と、ボード上に生成される対応デッドタイムにより、必要とされるパルス幅変調入力はわずか一つです。短いグランド・スプリングを搭載しているオシロスコープのプローブにより、ロジックと出力段の主な波形を測定するため、プローブ点が用意されています。

 

LMG3410-HB-EVM は、必要なすべての補助ペリフェラル回路を搭載している LMG3410R070 GaN FET を 2 個使用し、1 個のハーフ・ブリッジを形成します。  この評価基板は、LMG34XX-BB-EVM やカスタム設計の出力段など、より大規模なシステムと組み合わせて使用できます。  LMG3410R070 を高性能レイアウトに搭載し、利便性の高い接続ポイントを組み合わせて提供しているので、動作波形とインサーキット波形をすばやく簡単に測定できます。

必要な回路がすべて実装されているため、レベルシフトや絶縁は不要です。  補助バイアスは 2 つの方法で生成できます。デフォルトは 5V 単一入力のみを必要とする絶縁型電源で、12V ブートストラップ・モードで動作するように構成を変更することも可能です。  露出銅パッドが用意されており、消費電力がより大きい場合にヒートシンク・アセンブリを取り付けることができます。