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窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3410R150

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ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN

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製品詳細

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
  • 統合型ゲート・ドライバ
    • 共通ソース・インダクタンスが 0
    • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを 25～100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
    • サイクル単位の過電流保護
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
    • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールの UVLO 保護
  • デバイスのオプション
    • LMG3410R150：ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R150：サイクル単位の過電流保護
  • TI の GaN プロセスは、加速信頼性アプリケーション内ハード・スイッチング・ミッション・プロファイルによる認定済み
  • 高密度の電力変換設計が可能
    • カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現
    • 低インダクタンスの 8mm×8mm QFN パッケージにより設計とレイアウトが容易
    • スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能
    • デジタルのフォルト・ステータス出力信号
    • +12V の非レギュレート電源のみで動作可能
  • 統合型ゲート・ドライバ
    • 共通ソース・インダクタンスが 0
    • 伝播遅延が 20ns で、MHz 動作が可能
    • ゲート・バイアス電圧をプロセスで調整することで高い信頼性を実現
    • スルー・レートを 25～100V/ns の範囲でユーザーが設定可能
    • サイクル単位の過電流保護
  • 堅牢な保護
    • 外付けの保護部品が不要
    • 応答時間 100ns 未満の過電流保護
    • 150V/ns を超えるスルー・レート耐性
    • 過渡過電圧耐性
    • 過熱保護
    • すべての電源レールの UVLO 保護
  • デバイスのオプション
    • LMG3410R150：ラッチ付き過電流保護
    • LMG3411R150：サイクル単位の過電流保護

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR150 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

LMG341xR150 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。

ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR150 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。

LMG341xR150 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。
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技術資料

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設計および開発

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評価ボード

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x ファミリ向け、LMG34xx GaN システム・レベル評価マザーボード

LMG34XX-BB-EVM は、LMG3410-HB-EVM などの LMG341x ハーフブリッジ・ボードを同期整流降圧コンバータとして構成するための使いやすいブレイクアウト・ボードです。この評価基板は、電力段、バイアス電源、ロジック回路を搭載しており、GaN デバイスのスイッチング測定を迅速に実行できます。この評価基板 (EVM) は適切な熱管理 (強制空冷、低周波動作など) を行うと、最大動作温度を超過せず、最大 8A の出力電流を供給できます。この評価基板は開ループ・ボードなので、過渡測定に適していません。

(...)

ユーザー ガイド: PDF
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ドーター・カード

LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN ハーフブリッジ・ドーター・カード

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ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

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製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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