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窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3522R030

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ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

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製品詳細

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 30 ID (max) (A) 55 Features Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RQS) 52 144 mm² 12 x 12
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド・オフ：200V/ns
    • 2MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化
  • ゲート・ドライバ内蔵の 650-V GaN オン Si FET
    • 高精度のゲート・バイアス電圧を内蔵
    • FET ホールド・オフ：200V/ns
    • 2MHz のスイッチング周波数
    • 20V/ns～150V/ns のスルーレートによりスイッチング性能の最適化と EMI の軽減
    • 7.5V～18V 電源で動作
  • 堅牢な保護
    • サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護
    • ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V
    • 内部過熱および UVLO 監視機能による自己保護
  • 高度な電源管理
    • デジタル温度 PWM 出力
  • 上面から放熱する 12mm × 12mm の VQFN パッケージにより、電気的経路と熱的経路を分離することで電力ループのインダクタンスを最小化

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と TI の低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。

ドライバと保護機能を内蔵した LMG3522R030 GaN FET は、スイッチ・モード・パワー・コンバータを対象としています。このデバイスを使うと、設計者は比類ない電力密度と効率を実現できます。

LMG3522R030 は、最大 150V/ns のスイッチング速度を実現できるシリコン・ドライバを内蔵しています。TI の統合型高精度ゲート・バイアスは、ディスクリート・シリコン・ゲート・ドライバと比較して、より広いスイッチング SOA をもたらします。この統合と TI の低インダクタンス・パッケージの組み合わせにより、ハード・スイッチング電源トポロジでもノイズの少ないスイッチングとリンギングの最小化を実現できます。調整可能なゲート・ドライブ強度により、20V/ns～150V/ns までのスルーレートの制御が可能で、EMI のアクティブ制御とスイッチング性能の最適化に使用できます。

高度な電源管理機能として、デジタル温度通知とフォルト検出を備えています。GaN FET の温度は可変デューティ・サイクル PWM 出力により通知されるため、デバイスの負荷の管理が簡単になります。報告されるフォルトには、過熱、過電流、UVLO の監視があります。
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open-in-new 代替品と比較
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
LMG3422R030 アクティブ ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET Industrial version with bottom-side cooling
LMG3522R030-Q1 アクティブ 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET Automotive grade version of the same device
LMG3526R030 アクティブ ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET Zero-voltage switching detection feature

技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
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設計および開発

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ドーター・カード

LMG3522EVM-042 — LMG3522R030-Q1 車載対応、ドライバ内蔵、650V 30mΩ GaN FET ドーター・カード

LMG3522EVM-042 は、2 個の LMG3522R030 GaN FET によるハーフブリッジ構成に、サイクルごとの過電流保護機能とラッチ付き短絡保護機能を実装し、必要な補助ペリフェラル回路をすべて組み合わせています。この評価基板 (EVM) は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model

SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
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シミュレーション・モデル

LMG3522R030 PSpice Model

SNOM770.ZIP (644 KB) - PSpice Model
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CAD/CAE シンボル

LMG3522R030 Step File

SNOR033.ZIP (701 KB)
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計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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計算ツール

SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
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計算ツール

SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET
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リファレンス・デザイン

PMP41078 — GaN HEMT を搭載した高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザイン

650V のGaN (窒化ガリウム) HEMT (高電子移動度トランジスタ) を搭載した、3.5kW の高電圧から低電圧への DC/DC コンバータのリファレンス デザインです。LMG3522R030 を 1 次スイッチとして使用すると、コンバータは高スイッチング周波数で動作します。このデザインでは、コンバータは小型化されたトランスを使用しています。アクティブ クランプ MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) の放熱性能を緩和するため、このコンバータは 2 チャネルのアクティブ クランプ回路を使用しています。
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

TIDA-010938 — バッテリ エネルギー ストレージ システム搭載、10kW、GaN ベースの単相ストリング インバータのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、2 系統のストリング入力を受け入れる単相ストリング インバータです。各入力は直列接続の 10PV パネルを処理できるほか、80V ～ 500V のバッテリ スタックを取り扱うことができる 1 個のエネルギー ストレージ システム ポートを搭載しています。ストリング入力からバッテリ ストレージ システムまでの定格電力は、最大 10kW です。構成可能な AC/DC コンバータは、230V で最大 3.6kW を単相グリッド接続に供給できます。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン

PMP22951 — アクティブ クランプ搭載、54V、3kW 位相シフト フルブリッジのリファレンス デザイン

は、GaN ベースの 3kW 位相シフト フルブリッジ (PSFB) コンバータのリファレンス デザインです。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 (SR) MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的で 2 次側に 1 個のアクティブ クランプを採用しているため、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP22951 は、1 次側で 30mΩ の GaN、同期整流器として 100V、1.8mΩ の GaN を採用しています。TMS320F280049C リアルタイム マイコンを使用して PSFB (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23338 — e メーター機能搭載、3.6kW、単相トーテム ポール ブリッジレス PFC (力率補正) のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、GaN (窒化ガリウム) ベースの 3.6kW 単相連続導通モード (CCM) トーテム ポール力率補正 (PFC) コンバータであり、M-CRPS (モジュール型ハードウェア システム向け共通冗長電源) を想定しています。このデザインは、0.5% 精度の e メーター機能を搭載しており、外部の電力測定 IC が不要です。この電源は、16A RMS の最大入力電流と 3.6kW のピーク電力をサポートできる設計を採用しています。電力段の後段に小型の昇圧コンバータを配置しており、バルク (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP40988 — 可変周波数、ZVS (ゼロ電圧スイッチング)、5kW、GaN ベース、2 相トーテムポール PFC のリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、高密度で高効率の 5kW トーテムポール力率補正 (PFC) 設計です。このデザインは、可変周波数と ZVS (ゼロ電圧スイッチング) の組み合わせで動作する 2 相トーテムポール PFC を使用しています。この制御方式は、新しいトポロジと改良型の三角波電流モード (ITCM) を使用し、小型化と高効率化を実現します。このデザインは、TMS320F280049C マイコンの内部にある高性能プロセッシング・コアを使用し、広い動作範囲にわたって効率を維持します。この PFC は 100kHz～800kHz の可変周波数範囲で動作します。電力密度が (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23069 — 最大 16A の入力に対応し、180W/in3 (10.98W/立方 cm) を上回る電力密度を達成する、3kW の単相トーテム・ポール・ブリッジレス PFC のリファレンス・デザイン

このリファレンス デザインは、C2000 F28003x と F28004x の各マイコンを使用して、連続導通モードのトーテムポール PFC (力率補正) コンバータを制御する方法を提示します。この PFC はほかに、グリッド接続 (電流制御) モードでインバータとして動作します。このコンバータは、16A RMS の最大入力電流と 3.6kW のピーク電力をサポートできる設計を採用しています。ドライバと保護機能を内蔵した上面冷却型 GaN デバイスである LMG3522 を採用した結果、効率の向上や、電源のサイズ小型化と複雑さの低減を実現しています。C2000 コントローラをベースとする (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23126 — アクティブ・クランプ搭載、270W/立方インチ (16.48W/立方 cm) を上回る電力密度、3kW 位相シフト・フルブリッジのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、電力密度の最大化を目標とする、GaN ベースの 3kW 位相シフト・フルブリッジ (PSFB) です。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的でアクティブ・クランプを採用しているので、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP23126 は、1 次側にテキサス・インスツルメンツの 30mΩ の GaN、2 次側にシリコン MOSFET を使用しています。LMG3522 は、ドライバと保護機能を内蔵した上面冷却 GaN であり、Si (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン

PMP23249 — 650V 30mΩ の GaN FET 向けドーター・カードのリファレンス・デザイン

このリファレンス・デザインは、ドライバと保護機能を内蔵した 650V GaN FET であるLMG352XR0X0 を 2 個使用してハーフブリッジ構成を採用したほか、必要なバイアス回路と、ロジックまたは電力のレベル・シフト機能をいずれも搭載しています。出力段、ゲート駆動回路、高周波電流ループはいずれも完全密閉型でオンボード実装しているので、電源ループの寄生インダクタンスの最小化、電圧オーバーシュートの低減、性能向上に貢献します。このデザインはソケットを使用して外部接続を行う構成を採用しており、多様なアプリケーションで LMG352XR0X0 (...)
試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VQFN (RQS) 52 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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