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LMG2100R026

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100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段

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製品詳細

VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 100 RDS(on) (mΩ) 2.6 ID (max) (A) 55 Features Built-in bootstrap diode, Half-bridge, Top-side cooled Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (VBN) 18 See data sheet UNKNOWN (VBN) 16 See data sheet
  • 統合されたハーフブリッジ GaN FET およびドライバ
  • 電圧定格：連続 93V、パルス 100V
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 33ns) およびマッチング (標準値 2ns)
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 低消費電力
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面冷却用の大型 GND パッド
  • 統合されたハーフブリッジ GaN FET およびドライバ
  • 電圧定格：連続 93V、パルス 100V
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 33ns) およびマッチング (標準値 2ns)
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 低消費電力
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面冷却用の大型 GND パッド

LMG2100R026 デバイスは、93V 連続、100V パルス、53A ハーフブリッジ電力段で、ゲート ドライバとエンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは 2 つの GaN FET で構成され、1 つの高周波数 GaN FET ドライバによりハーフブリッジ構成で駆動されます。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバと 2 つの GaN FET はボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。The LMG2100R026 デバイスは、 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ実装できます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。

LMG2100R026 デバイスは、93V 連続、100V パルス、53A ハーフブリッジ電力段で、ゲート ドライバとエンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは 2 つの GaN FET で構成され、1 つの高周波数 GaN FET ドライバによりハーフブリッジ構成で駆動されます。

GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバと 2 つの GaN FET はボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。The LMG2100R026 デバイスは、 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ実装できます。

TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。

このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート LMG2100R026 100V、 53A GaN ハーフブリッジ電力段 データシート PDF | HTML 最新英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 7月 17日
EVM ユーザー ガイド (英語) LMG2100R026 Evaluation Module Users Guide PDF | HTML 2024年 8月 6日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 の評価基板

LMG2100EVM-097 は、外部 PWM (パルス幅変調) 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、1 個のハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板は、LMG2100R026 ハーフブリッジ パワー モジュールを採用しており、90V GaN FET ハーフブリッジ ゲート ドライバで駆動する 2 個の 100V 2.6mΩ GaN FET を搭載しています。
ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
計算ツール

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
サポート対象の製品とハードウェア

サポート対象の製品とハードウェア

製品
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG2100R026 — 100V、2.6mΩ、ハーフブリッジ GaN (窒化ガリウム) 電力段 LMG2100R044 — ドライバと保護機能内蔵、100V、4.4mΩ、ハーフブリッジ GaN FET LMG2610 — ドライバと保護機能と電流センス機能を内蔵、ACF (アクティブ・クランプ・フォワード) 向け、650V 170/248mΩ GaNハーフブリッジ LMG2640 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、105mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG2650 — ドライバと保護機能と電流センシング機能内蔵、650V、95mΩ、GaN ハーフブリッジ LMG3410R050 — ドライバと保護機能内蔵、600V、50mΩ GaN LMG3410R070 — ドライバと保護機能内蔵、600V、70mΩ の GaN LMG3410R150 — ドライバと過電流保護機能搭載、600V、150mΩ GaN LMG3411R050 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、50mΩ の GaN LMG3411R070 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、70mΩ GaN LMG3411R150 — ドライバとサイクルごとの過電流保護機能内蔵、600V、150mΩ GaN LMG3422R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、30mΩ の GaN FET LMG3422R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵した、600V、50mΩ の GaN FET LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET LMG3425R050 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、50mΩ の GaN FET LMG3426R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3426R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、600V、50mΩ の GaN FET LMG3427R030 — ドライバと保護機能とゼロ電流検出機能内蔵、600V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R030-Q1 — 車載、ドライバと保護機能と温度レポート機能を内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3522R050 — ドライバと保護機能と温度報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG3526R030 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET LMG3526R050 — ドライバと保護機能とゼロ電圧検出報告機能内蔵、650V、50mΩ の GaN FET LMG5200 — 80V GaN ハーフ・ブリッジ出力段
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リファレンス・デザイン

TIDA-010949 — GaN ベース、有線 / 無線通信機能搭載、600W ソーラー電力オプティマイザのリファレンス デザイン

このリファレンス デザインは、ソーラー電力オプティマイザであり、最大で 80V の入力電圧と 80V の出力電圧をサポートでき、最大で 18A の出力電流と入力電流を供給します。このデザインは、構成可能な 4 スイッチの昇降圧コンバータを使用して、パネル電流をストリング電流に昇圧または降圧します。バイパス回路では、スマート ダイオード コントローラをベースとする設計を採用しています。

このリファレンス デザインには、電力線通信 (PLC) が含まれているほか、ワイヤレス通信も装備されています。デジタル制御機能と通信機能の両方が、単一の C2000™ マイコン (MCU) に実装されています。

設計ガイド: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
UNKNOWN (VBN) 18 Ultra Librarian
UNKNOWN (VBN) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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