LMG2100R026
- 統合されたハーフブリッジ GaN FET およびドライバ
- 電圧定格:連続 93V、パルス 100V
- 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
- 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
- 5V の外部バイアス電源
- 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
- ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
- 非常に優れた伝搬遅延 (標準値 33ns) およびマッチング (標準値 2ns)
- 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護
- 低消費電力
- 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
- 底面冷却用の大型 GND パッド
LMG2100R026 デバイスは、93V 連続、100V パルス、53A ハーフブリッジ電力段で、ゲート ドライバとエンハンスメント モードの窒化ガリウム (GaN) FET が内蔵されています。このデバイスは 2 つの GaN FET で構成され、1 つの高周波数 GaN FET ドライバによりハーフブリッジ構成で駆動されます。
GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバと 2 つの GaN FET はボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。The LMG2100R026 デバイスは、 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ実装できます。
TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。
このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。
技術資料
種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
* | データシート | LMG2100R026 100V、 53A GaN ハーフブリッジ電力段 データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 7月 17日 |
EVM ユーザー ガイド (英語) | LMG2100R026 Evaluation Module Users Guide | PDF | HTML | 2024年 8月 6日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
LMG2100EVM-097 — LMG2100R026 の評価基板
LMG2100 評価ボードは使いやすい電力段で、降圧コンバータか昇圧コンバータ、またはハーフブリッジを使用する他のコンバータ トポロジとして構成することができます。この評価基板 (EVM) は、1 個の LMG2100R026 デバイスと、複数のドライバ内蔵 GaN FET を搭載しています。
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
UNKNOWN (VBN) | 16 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点