JAJSH13A March 2019 – June 2019 LMG3410R150 , LMG3411R150
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ドライバおよび保護機能を内蔵した LMG341xR150 GaN 電力段を使うと、設計者はパワー・エレクトロニクス・システムにおいて、比類ない電力密度と効率を実現できます。シリコンMOSFETに対するLMG341xの本質的な利点には、入力および出力容量が非常に小さい、逆方向回復が0であるためスイッチング損失を約80%低減できる、スイッチ・ノードのリンギングが小さいためEMIが低減されるという事実が含まれます。これらの利点により、トーテムポールPFCのような高密度高効率のトポロジが可能になります。
LMG341xR150 は、従来のカスコード GaN およびスタンドアロン GaN FET に代わる優れたデバイスで、組み込まれた一連の独自機能により、電源の設計を単純化し、信頼性を最大化し、性能を最適化できます。内蔵のゲート・ドライブにより、Vdsリンギングがほぼ0で100V/nsのスイッチングを行い、100ns未満の電流制限により意図しない貫通電流からデバイス自身を保護し、過熱シャットダウンにより熱暴走を防止し、システム・インターフェイス信号により自己監視を行えます。
型番 | パッケージ | 本体サイズ(公称) |
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LMG341xR150 | QFN (32) | 8.00mm×8.00mm |