JAJSTK3 March 2024 LMG3425R050
PRODUCTION DATA
LMG3425R050は、ゲート・ドライバが内蔵された高性能パワーGaNデバイスです。GaNデバイスは、ゼロ逆回復と超低出力キャパシタンスを実現し、ブリッジ・ベースのトポロジで効率のイネーブル ハイを実現します。ディレクティブ駆動アーキテクチャは、内蔵ゲートドライバによりGaNデバイスを直接制御するために適用されます。このアーキテクチャにより、従来のカスコード方式に比べて優れたスイッチング性能を発揮し、GaNアプリケーションの多数の課題を解決できます。
内蔵ドライバにより、の高いドレイン・スルーレートの場合に本デバイスを確実にオフに維持できます。内蔵ドライバは、過電流、短絡、過熱、VDD低電圧、ハイインピーダンスのRDRVピンからGaNデバイスを保護します。また、内蔵ドライバはダイ温度を検出し、変調されたPWM信号を介して温度信号を送出することもできます。
Si MOSFETとは異なり、GaNデバイスにはソースからドレインへのp-n接合がないため、逆方向回復電荷がありません。ただし、GaNデバイスは依然として、p-n接合のボディ・ダイオードと同様にソースからドレインへ導通しますが、電圧降下が大きく、導通損失が大きくなります。したがって、LMG3425R050GaN FETがオフの間、ソースドレイン間導通時間を最小限に抑える必要があります。理想ダイオード・モード機能により、GaN FETのソフト・スイッチ・ターンオン・エッジで発生するソースドレイン間の導通損失を自動的に最小化し、最適なデッドタイム制御と同様にします。